序号

设备名称

主要技术指标要求

国别

数量（台）

采购方式

1

蒸发镀膜机

·极限真空度：≤5.0E-5Pa
·高压双电子枪最高电压：≥10kV
·加热性能：200℃±10℃，最高300℃
·镀膜种类：Au、Sn、Cu
·镀膜均匀性：≤±5%
·兼容基片尺寸：兼容6寸及以下基片

进口

1

公开招标

2

离子束刻蚀机

·能够刻蚀金属材料：Au、TiW、Ni
·离子源类型：射频离子源
·离子源口径：≥Φ22cm
·极限真空度：≤6.7E-5Pa
·刻蚀均匀性：≤±5%；
·兼容基片尺寸：兼容6寸及以下基片

国产

1

询比或公开招标

3

电容外观筛选机

·适用产品规格：0202/0303（单层芯片电容）、0202～0707（硅电容）、0303～0707（多层芯片电容）、0503/0706（单层芯片电容）
·UPH:≥2kpcs/h
·视觉检测精度：≤±5μm
·摆盘入料率：≥96%

国产

4

公开招标

4

多层芯片电容老化系统

·兼容尺寸规格：0303、0505、0707
·系统容量：≥9600只
·加载电压及精度范围：0～300V/±（1%+200mV）
·温度范围及精度：常温～125℃/±3℃
·漏电流监控范围及精度：0～250μA/±2%FS
·工装夹具的绝缘性及可检测绝缘电阻的数量级≥1×1012Ω，可进行常温和高温绝缘测试

国产

1

询比采购

5

网带式气氛烧结炉

·有效装载尺寸：宽度300 mm以上，高度50mm以上
·温区数量：不少于24温区，加热区长度10米以上
·网带速度：200～600ｍｍ／Hr
·使用温度：最高温度1000℃，常用温度900～950℃
·控制精度：±1℃
·温度均匀性：±3℃
·烧结气氛：氮气置换，氧含量10ppm以下，配备氧含量分析仪；水汽加湿，露点范围25℃～80℃，配备露点分析仪

进口

1

公开招标

6

直写光刻机

·最大曝光面积：≤（200×200）mm2
·最小线宽解析：≤0.6um
·线宽均匀性[3σ,nm]：≤150
·套刻对准精度[3σ,nm]：≤500
·产速@最小线宽解析：≥200mm2/min
·具备光掩膜板制备功能
·数据输入格式：支持多种文件格式

国产

1

询比采购

7

温补衰减器电性能外观一体机

·测试频率范围：100MHz～3GHz
·衰减量测试精度：±0.1dB@1GHz
·衰减量测试重复精度：±0.1dB@1GHz
·阻值测试精度：±0.3Ω
·阻值重复精度：±0.1Ω
·微波性能测试效率：≥1200pcs/h
·R2阻值测试效率：≥1500pcs/h
·六面外观检查
·具备型号可扩展性

国产

1

询比采购

8

磁控溅射镀膜机

·溅射方式：连续式镀膜系统
·极限真空度：≤8.0×10-5Pa
·直流电源最大功率：≥3000W
·溅射不均匀性：≤±5%
·配备信息化接口

进口

1

公开招标

9

端导磁控溅射机

·靶位数量：≥2个
·极限真空度：≤8.0×10-4Pa
·最大功率：≥5000W
·溅射不均匀性：≤±5%
·对于工装尺寸为93mm×73mm×11mm的治具，每炉样品数量：≥60个
·配备信息化接口

国产

1

公开招标

10

双离子束溅射机

·极限真空度：≤8×10-5Pa
·溅射离子源最大能量：≥1500eV
·溅射离子最大束流：≥300mA
·工艺气路：Ar、N2、O2
·溅射不均匀性：≤±5%

国产

1

公开招标

11

流延机

·流延宽度：流延后分切成2卷8英寸收卷
·流延厚度：20～500μm
·流延精度：（20~50）μm，≤±1μm；（51~100）μm，≤±1.5μm；（101~500）μm，≤±2%
·干燥炉长度：18～20m
·干燥炉温度：最高120℃
·横向温度均匀性：±3℃
·流延速度：0.1～3.0m/min
·EPC纠偏，电子张力控制，数控调整流延刀高

进口

1

公开招标

12

全自动涂银机

·适用的电阻条长度：60mm和50mm
·涂银最大压力：≥2kg且压力可调
·烘干炉上限温度：≥180℃

国产

1

询比采购