1.需要兼容6英寸硅衬底以上晶圆的TSV，RDL，Pillar，MEMS工艺刻蚀； 2.能配合完成离子束刻蚀（IBE），深硅刻蚀（DRIE），反应离子刻蚀（RIE），聚焦离子束刻蚀（FIB）。 3.能完成Si和金属Cu的湿法刻蚀，并提供刻蚀药水供应； 4.需配备2个湿法刻蚀槽和2个QDR快速清洗槽； 5.能提供独立的etch循环槽体（外槽溢流，内槽进液）和QDR循环槽体（外槽溢流，内槽进液）。 6.进口隔膜泵需选取Whiteknight，graco，yamada三家之一。 7.介质刻蚀均匀性＜5%、金属刻蚀均匀性＜5%、颗粒控制≤30 ea； 8.可适用多种药液如H2SO4、HF、HNO3、H3PO4等； 9.工艺腔体需经过优化设计，提供优秀的洁净度和气密性控制； 10.需为本单位提供机器操作培训，设备最长可以在交付之后一年内启动使用，启用之后一年的整机质保，质保期内需提供免费上门维修服务。 11.为保证工艺一致性，刻蚀机和清洗机需要为同一家设备供应商。

设备最长可以在交付后一年内启动使用，启用之后一年的整机质保，质保期内需提供免费上门维修服务。