1. ★极限真空： 空载优于5.0×10-5Pa（设备空载，抽真空24小时）；
2. ▲升压率： 设备升压率≤0.8Pa/h（12小时平均值）；设备保压：停泵12小时候后，设备真空度≤10Pa；
3. ▲抽速： 空载从大气抽至5.0×10-4Pa≤30min；
4. ★均匀性： 200*200mm的蒸镀面积内薄膜厚度（200nm时）不均匀性≤±5%；
5. ▲真空腔室： ①结构 采用立式方形、前后开门结构，方便取放基片、后门更换蒸发材料以及真空腔室日常维护； 可与手套箱连接 ②材料及尺寸 采用SUS304优质不锈钢，Φ600×H750mm真空腔室（以实际设计为准）腔室采用水冷线冷却；镀膜腔室（包括管道、连接法兰等）均进行清洁处理，内表面电抛等处理，以减少“出气”量，有利于真空度的提高及耐腐蚀； 所有焊缝连接采用氩弧焊接技术，内表面抛光处理； ③主要接口装配位置 镀膜室顶板上分布：旋转基片台1套；预留加热器及热电偶接口； 底部：底板布置一台电子枪、配挡板；另预留2组电阻蒸发源及2套挡板接口； 后部：抽气口； ④预留接口：装膜厚仪以及其它用途； ⑤Φ100mm观察窗及挡板，位于前门，观察窗玻璃采用铅玻璃，防止射线辐射； ⑥腔室防污屏蔽板采用优质不锈钢材质，便于拆卸清理、更换等。
6. ★基片台： ①基片台：平板型，抽屉式结构，装载210×210mm样片，可从基片架组件中取出，方便用户安装基片； ②配有气动基片台挡板； ③配备通用夹具，方便用户装卡各种不同规格尺寸的基片； ④基片台电机驱动：旋转转速0～20转/分钟，连续可调；主轴磁流体密封； ⑤蒸发源与基片台距离500mm（实际设计为准）
7. ★电子束蒸发源： ①E型电子枪270°偏转电子枪偏转角保证了电子束发射源材料对膜层的无污染； 双向、快速的电子束扫描系统及扫描电路，避免了靶材的“扎坑”弊病； 精密的水路设计，保证电子枪温升小，可以长期稳定工作； ②电子枪电源：10kW；坩埚工位为6穴； ③电子枪挡板：气动； ④金属蒸发源：水冷铜电极2组（4个电极）； ⑤逆变式蒸发电源：功率3kW；1台
8. 真空系统： ①真空机组采用“复合分子泵+直联高速旋片式真空泵”组合的真空系统； ②分子泵型号：FF250/2000，抽速：2000L/s； ③机械泵型号：TRP-48，抽速：14L/s，北仪优成，合资品牌，抽速快，低噪音； ④前级/旁路阀：DN40，气动插板阀； ⑤真空测量：“两低一高”数显复合真空计；两低一高是指两只电阻规测量低真空，一只电离规测量高真空；测量范围从1×105Pa到1×10-5Pa； ⑥波纹管材质：SUS304不锈钢； 真空密封：常拆卸密封采用氟橡胶圈密封，不常拆卸密封采用金属密封；
9. 电气控制系统： ①电气控制系统：采用PLC+触摸屏控制系统，可实现自动一键式抽真空，蒸发镀膜电源采用手动控制，以方便用户进行镀膜工艺参数的摸索； ②控制内容：分子泵、机械泵、阀门开关；分子泵电源参数显示及开关控制；真空计参数显示及控制；基片台转速显示和控制； ③安全保护报警系统：在缺水、水压过低等情况下的报警系统；完善的逻辑程序互锁保护系统。
10. 膜厚监测系统： SQM-160/1台+原装探头/1只+晶振片/1盒 SQM-160 使用成熟的 INFICON 石英晶体传感器技术在薄膜沉积过程中测量速率和厚度。两个传感器输入为标准输入，另外四个传感器输入为可选输入。两个录像机输出可提供模拟速率和厚度信号。 传感器输入可分配给不同的材料，在大型系统中平均分配以实现精确的沉积控制，或者配置为双传感器。速率采样模式可在高速率过程中屏蔽传感器，从而延长传感器的使用寿命。速率显示为 0.1Å/s 或 0.01Å/s，用户可自行选择。此外，还可以选择频率或质量显示。凭借四个继电器输入，SQM-160 可控制来源或传感器屏蔽、信号时间和厚度设定点以及信号晶体失效。数字输入允许外部信号启动/停止和归零读数
11. 手套箱： 设备内包含一套可与设备完美连接的定制手套箱1套。