采购项目名称：亚纳米器件关键薄膜原子层沉积设备
采购项目编号：清采比选20240689号
对外联系人：本项目不接受咨询
联系电话：本项目不接受咨询
采购单位：清华大学
物资名称：亚纳米器件关键薄膜原子层沉积设备
采购数量：1
计量单位：台
单价：￥490000
技术参数及配置要求：1. 适用于8英寸以及小尺寸样品相关薄膜沉积，8英寸样品不均匀性≤3%； 2. 设备本底真空优于3 Pa，泄露率低； 3. 样品台加热温度最高可达400℃； 4. 能够基于臭氧基或水基生长HfO2等类型高k值介质作为绝缘薄膜，击穿场强>0.8V/nm； 5. 能够基于臭氧基或水基生长In2O3等类型金属氧化物半导体薄膜。
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