180nm BCD GenerationII 1.8V/5V制程；支持6层以上metal options。 含划片服务,设计文件定制服务，MPW流片服务。 1)180 nm BCD集成工艺制程; BCD工艺把双极器件和CMOS器件同时制作在同一集成电路上。综合双极器件高跨导、 强负载驱动能力和CMOS集成度高、低功耗的二者性能，可提升探测器的性能并降低功耗。 2)支持1.8/5V核心器件； 3)支持6层以上metal options; 4)具备完整的HVT/SVT/LVT 的高密度数字电路单元库, 包括OA格式设计库； 5)具备完整的数字IO库和模拟IO库, 包括OA格式设计库； 6)支持深N阱和深P阱； 7)支持2fF/um的MIM电容; 8)顶层金属厚度40kA 9)支持MIM电容的MIM层在M4与M5之间 10)支持高阻电阻每方块3kohm 11)diode支持70V耐压 12)多平台PDK（Process Design Kit）版本提供，全程PDK使用技术指导及后期验证辅助； 13)全流程协助产品Tapeout流程，包括数据填报，数据上传，DRC/LVS复查。 14)支持1.8cm*0.5cm和1.5cm*3cm芯片流片 在满足上述工艺与器件要求的基础上，进行180nm BCD 工艺MPW流片： 1)40颗芯片 2) 提供出厂检测OQA报告 3) 提供PCM（process control monitoring）数据 备注： 1）需提供免费划片服务； 2）如需IP支持与购买，可协助提供选择与渠道购买，费用另计； 3）完整的流片服务方案 4）原厂完整的工艺文件证明（任一工艺，需在竞价提供） 5）类似业绩证明（需在竞价提供）

1）需提供免费划片服务； 2）如需IP支持与购买，可协助提供选择与渠道购买，费用另计；