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在硅光器件上实现高密度的TSV，会导致硅光器件性能劣化。因此为了开展TSV对硅光器件影响研究，我们需要预先对硅光芯片进行设计和流片，基于流完片的硅光晶圆，在上面进行后道的工艺，研究TSV与硅光器件的电磁、应力、光学相互作用机制。基于研究的机制和机理，最终实现硅光芯片与电芯片的三维集成。