公告摘要
项目编号-
预算金额830万元
招标公司深圳技术大学
招标联系人宋惠雪
标书截止时间-
投标截止时间-
公告正文
深圳技术大学等离子增强化学沉积仪(PECVD)等设备意向公开
采购单位:深圳技术大学
项目名称:等离子增强化学沉积仪(PECVD)等设备
预算金额(元):8,300,000.000
采购品目:其他仪器仪表
采购需求概况:拟采购一批设备,配置包括:
一、等离子增强化学沉积仪(PECVD),1套:
1.晶圆大小:8英寸向下兼容,采用托盘方式兼容;2.配置放置8、6、4、3、2英寸的晶圆托盘;3.RF电源:13.56MHz, 0~600W;4.晶圆载台加热器最高温度: 350°C;5.工艺气路:SiH4, NH3, N2O, N2, O2, CF4;6.成膜材料:SiO2, SiNx;7.片内和片间膜均匀性:≤±5%;8.腔体结构:传送腔 沉积工艺腔。
二、LPCVD扩散炉,1套:
1、炉管适用晶圆尺寸:6英寸及以下圆片,产量≥25片/批;2、炉管功能:第一管干氧/湿氧氧化,第二管氮化硅制备,第三管常压/真空退火;3、真空系统参数:系统极限真空度≤5Pa,工作压力及精度:10Pa-40Pa、1Torr(真空计),恢复真空时间:常压(AP)至10Pa≤10min,系统漏气率≤5E-10 Pa·m3/s;4、气路系统:MFC控制,控制精度≤±1%F·S,漏率≤5E-10Pa·m3/s,气体最大流量:氮气/氧气20L、氢气10L、氨气500SCCM、二氯二氢硅200SCCM;5、温控范围:氧化管:600℃-1150℃,LPCVD管:600℃-800℃,真空退火管:600℃-1000℃;6、恒温区长度:300mm,精度:≤±0.5℃(>800℃)、≤1℃(<800℃),单点温度稳定性:≤±0.5℃/4h @900℃,炉体升温速率:最大升温速率:10℃/min,最大降温速率:3℃/min;7、温度控制方式:三段内外热偶双回路温度控制,自动校温区,能快速回温;8、片内及片间薄膜均匀性:≤±3%(6英寸晶圆片,薄膜300nm,边缘排除5mm);9、送片方式:自动进出舟送片。
三、电子束蒸发镀膜机,1套:
1.设备实现工艺:在不同基片材料上使用各种镀膜材料进行光学薄膜的蒸镀,材料至少包含SiO2,Nb2O5,Si,MgF2;2.能满足8英寸及向下兼容基片的蒸镀需求,适配公转盘垂直蒸镀;满足3英寸/4英寸基片可调角度的斜向蒸镀;3.极限真空:≤7E-7mbar;4.薄膜厚度均匀性(8英寸):≤±3%,折射率均匀度≤±3%;5.双电子束蒸发器,功率≥10kW,用于蒸镀材料的多穴直接水冷坩埚,坩埚数≥10,坩埚口径≥40mm;6.基片加热系统可加热到350°C,温控在±10°C以内;7.物理厚度监控系统配置有晶振6位探头的晶控系统,最小精度0.1?/S,有自动切换功能;8.配备反射光学控制系统。
联系人:宋惠雪
联系电话:0755-23256324
预计采购时间:2023-12
备注:
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