中标
光量子芯片流片外协单一来源公示
金额
-
项目地址
重庆市
发布时间
2024/08/28
公告摘要
公告正文
公告类型:单一来源公示 发布时间: 2024-08-28 16:22:18 截止时间:2024-09-01 64
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统一信息编码:HLJDGG20240828003
专业领域:制导与控制技术,电子元器件,探测与识别,计算机与软件,体系建模仿真与评估,电子信息,网络通信,卫星应用,动力与传动,先进材料与制造,可靠性/测试性/维修性,其他
主要内容
光量子芯片流片外协单一来源公示
(一)外协项目名称和内容
1、项目名称:
光量子芯片流片外协。
2、项目内容:
按设计要求进行硅基光量子芯片流片。
(二)拟外协的物资的说明
1、外协明细:
序号 | 名称 | 单位 | 数量 |
1 | 光量子芯片流片外协 | 批 | 1 |
2、指标参数:
序号 | 名称 | 指标参数 |
1 | 光量子芯片 流片外协 | 1、流片面积为带加热电极的硅基无源完整晶圆1张和硅基有源完整晶圆1张,单个完整晶圆交付尺寸≥21.8mm×21.8mm; 2、提供包含光波导、光耦合器、1×2MMI光分束器、2×2MMI光分束器、波导交叉结构、热光相移器、调制器和探测器等器件的130nm工艺节点PDK库; 3、光波导在1550nm波长传输损耗≤1.5dB/cm; 4、TE模式光耦合器1550nm波长耦合损耗≤2.0dB/facet,1.0dB带宽≥50nm; 5、1550nm波长1×2MMI光分束器插入损耗≤0.1dB,失衡度≤10%; 6、1550nm波长2×2MMI光分束器插入损耗≤0.2dB,失衡度≤10%; 7、1550nm波长波导交叉结构TE模式插入损耗≤0.1dB,串扰≤-30dB; 8、热光相移器实现π相位翻转的功耗≤20mW,无插入损耗; 9、1550nm波长调制器的插入损耗≤4dB,3dB带宽≥30GHz; 10、1550nm波长探测器响应度≥0.8A/W,暗电流≤50nA,带宽≥40GHz; 11、提供量子光源等其他硅基光量子芯片相关流片服务及芯片表征测试服务等。 |
(三)采用单一来源外协方式的原因及相关说明
经调研,国内目前公开提供不低于8英寸硅基光量子芯片流片服务的厂商有联合微电子中心有限责任公司、中国科学院微电子研究所和上海微技术工业研究院3家。通过对比分析,3家流片厂商中只有联合微电子中心有限责任公司提供的指标均达到项目流片要求。因此,建议按单一来源方式从联合微电子中心有限责任公司进行“光量子芯片流片外协”采购。
(四)拟定的唯一供应商名称、地址
1、供应商名称:
联合微电子中心有限责任公司。
2、供应商地址:
重庆市沙坪坝区西园南街20号。
(五)论证意见
1、采购需求论证意见:
已于2024年7月5日组织召开了“光量子芯片流片外协采购需求论证报告评审会”,会议成立了由五位专家组成的评审专家组,评审专家组经过会议评审,一致认为“光量子芯片流片外协”采购需求明确,芯片流片外协指标论证科学,市场调研充分,可以执行后续采购流程。
2、采购方式论证意见:
已于2024年7月26日组织召开了“光量子芯片流片外协采购方式论证报告评审会”,会议成立了由五位专家组成的评审专家组,评审专家组经过会议评审,一致认为“光量子芯片流片外协”单一来源采购方式论证科学充分,建议按单一来源方式从联合微电子中心有限责任公司进行“光量子芯片流片外协”采购。
(六)公示期限
公示截止日期:2024年9月1日。
(七)需求单位的联系地址、联系人和联系电话
1、需求单位地址:
北京市丰台区丰台东大街53号院。
2、需求单位联系人:
黄老师。
3、需求单位联系电话:
13507437861。
(未经授权,严禁转载)
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