公告类型：询价 发布时间： 2023-12-18 16:40:15 截止时间：2023-12-26 11


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统一信息编码：HLJDGG20231218113


专业领域：电子元器件


主要内容

一、项目名称：新型二维半导体等材料采购
二、项目编号：
三、采购人：某单位
四、项目概要：
1.主要内容：

采购内容	数量
新型二维半导体等材料采购	见附件

相关要求见附件。
2.界面划分：采购方审核供应商提供材料的真实性。
3.交付时间：合同签订后5天内完成交付。
4.交货地点：四川绵阳。
5.付款方式：
货品交付且通过甲方验收后，支付总经费的95%，质保期6个月，质保期满后，支付到总经费的100%。
五、供应商要求：
供应商必须提供以下报价材料：

1.报价一览表和报价明细表	按照本公告要求自行制作报价单（可参考报价模板）；（按照适用税率及计税依据、税费、含税总价进行报价，一次报出不得更改的价格；必须法定代表人或授权代理人签字或签章，并加盖单位公章；如无特殊原因，报价有效期应不少于30日；请注明公司联系人和联系方式）
2.营业执照或事业单位法人证书	提供复印件或扫描件，并加盖报价方的单位公章
3.银行开户信息表或开户许可证	提供复印件或扫描件，并加盖报价方的单位公章，开户信息表可自拟格式。
4.法定代表人资格证明书或法定代表人授权书	提供复印件或扫描件，并加盖报价方的单位公章，开户信息表可参考报价模版或自拟格式。法定代表人参与时提供法定代表人资格证明书（见报价模版），授权代表参与时提供法定代表人授权书（见报价模版）
5.承诺函	见报价模版
6.资格要求	无。

注：报价邮件名称应为“项目名称+报价公司名称”格式，报价文件压缩包名称应为“公司名称_报价材料”格式。
六、报价时间及方式
1.报价时间：2023年12月26日9:00—13:00(北京时间），在规定的时间内一次报出最低价格。
2.递交报价方式：无需在网站上报名，供应商在报价限定时间内，通过电子邮件或传真或当面递交密封文件形式，将以上报价材料在报价时间内送达。
邮箱地址：sbb3sgy@163.com
七、评审方式
1.通过式评审，最低价中选：在满足商务技术要求的前提下，报价较低者优先推荐为候选供应商。
2. 无效报价的判定条件：
1）不满足询价公告相关要求；
2）不满足技术要求；
3）报价材料不全；
4）报价时间超过询价公告约定时间范围。
3. 询价失败的处理办法：
1）有效报价单位不足三家的情况：项目组分析其失败的原因后再决定是否再进行新一轮的询价；
2）有效报价均超预算的其情况：项目组修改预算金额后再经领导批准后进行采购。
八、采购人联系方式
联系人：免费注册即可查看
电话：免费注册即可查看
监督电话：18780480369

采购结果将在全军武器装备采购信息网、中国政府采购网发布公告，不会单独通知，请报价单位关注网站通知公告信息。





















附件：
新型二维半导体等材料采购清单

序号	名称	技术要求	数量	备注
一、新型二维半导体
1	2H-二硫化钼	2H相，尺寸8-10mm,生长方式：chemical vapor transport (CVT)	1
2	2H-二硒化钨	2H相，尺寸8-10mm,生长方式：chemical vapor transport (CVT)	1
3	2H-二碲化钼	2H相，尺寸8-10mm,生长方式：chemical vapor transport (CVT)	1
4	α-三硒化二铟	α相，尺寸8-10mm,生长方式：chemical vapor transport (CVT)	1
二、硅片
5	300 nm 硅片	尺寸：100mm;掺杂：P/B;晶面：（1-0-0）；电阻：≤0.005 Ω cm;硅厚度：525±25um；工艺：PRIME SILICON WAFER,单面抛光，双面半平光；二氧化硅厚度：300nm±10%；生长方式：单面干法热氧化	75
6	100 nm 硅片	尺寸：100mm;掺杂：P/B;晶面：（1-0-0）；电阻：≤0.005 ohm-cm;硅厚度：525±25um；工艺：PRIME SILICON WAFER,单面抛光，双面半平光；二氧化硅厚度：100nm±10%；生长方式：单面干法热氧化	50
三、掩膜板
7	氮化硅掩膜板	硅基，沟道精度3-5um，尺寸25mm*25mm	1	签订合同后，根据甲方提供的图纸制作

备注：报价时，提供选型结果，并提供1-6的产品手册。









附件
半导体材料采购.zip