招标
第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目
屋面
建设工程质量
工程建设相关方的关系进行协调
建筑装饰装修
室外工程
建筑电气
监理
基地
造价进行控制
供暖
地基与基础
智能建筑
进度
通风与空调
施工阶段的监理
衬底
主体结构
建筑节能
信息进行管理
电梯
建筑给水排水
金额
199234.5万元
项目地址
北京市
发布时间
2023/11/13
公告摘要
项目编号
-
预算金额
199234.5万元
招标公司
北京天科合达半导体股份有限公司
招标联系人
-
标书截止时间
-
投标截止时间
-
公告正文
• 公告内容
招 标 计 划
项目名称:
第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目
招 标 人:
北京天科合达半导体股份有限公司
项目概况:
建设地点:北京市大兴区新城东南片0605-022C地块
投资估算:
199234.5
万元
招标范围:
施工:施工图纸范围内的地基与基础、主体结构、建筑装饰装修、屋面、建筑给水排水及供暖、通风与空调、建筑电气、智能建筑、建筑节能、电梯及室外工程等全部工作内容。 监理:施工阶段的监理,具体包括对建设工程质量、进度、造价进行控制,对合同、信息进行管理,对工程建设相关方的关系进行协调,并履行法定及合同约定的建设工程安全生产管理职责。
建设规模:
总建筑面积约105100平方米
预计招标公告发布时间:
2023年12月14日
其他说明:
本项目具体投资估算、招标范围、建设规模以招标公告或资格预审公告为准。
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