扬州大学 - 竞价公告 (CB111172023000351)
发布时间：2023-04-17 10:04:18 截止时间：2023-04-19 10:13:54
基本信息：
申购主题：双室多功能薄膜淀积与实时监控PECVD系统
报价要求：国产含税
发票类型：增值税专用发票
付款方式：第一次付款时间：双方签定合同之日起，七天之内向供应商方支付总金额的60%为头款。
第二次付款时间: 设备验收合格之日起满6个月内且无属于供应商方原因的质量问题后，在接下来七天之内向乙方支付尾款。
送货时间：合同签订后180天内送达
安装要求：免费上门安装（含材料费）
预算：****** (元)

收货地址：江苏省/扬州市/邗江区/****
备注说明：
申购明细：
序号
1
采购内容
双室多功能薄膜淀积与实时监控PECVD系统
数量
1台
预算单价
品牌
拓宇
型号
PECVD450型
规格参数
详见附件1.
主要参数概述：
1.腔室结构形式及尺寸，腔室系由两个矩形厢体组成，箱体之间采用气动闸板阀CF200相互隔开，呈线列式结构，需全不锈钢材料制作。
1.1．PECVD室
采用进口的MKS RF电源：额定频率13.56 MHz，额定最大功率600 W，工艺过程中辉光放电和等离子体能保持稳定均匀的功率至少可以加至300 W；RF喷淋电极与样品台电极均Z轴可升降，电极间距可调范围≥10 mm‐50 mm. 工艺压强控制电容薄膜规MKS626B额定量程:13.3 Pa~1330 Pa，工艺过程中辉光放电和等离子体能保持稳定均匀的工艺压强范围:13.33 Pa~400 Pa.
上电极（RF电极）座在真空室上法兰盖上，以莲蓬头方式向下喷出工作气体；加热样品下电极座在真空室下底盘上，样品朝上。
1.2．进样室
样品架座在真空室下底盘上，只装一片样品朝上。
在真空腔室的前侧门上开出Φ100水冷胶圈密封观察窗1个以及必要的CF35接管法兰（旁路抽气1个、烘烤照明1个、陶封四芯引线电极2个），下底法兰盘上，再开出CF35电离规接管法兰1个，热偶规接管法兰1个，CF35抽除废气口法兰1个，真空室上盖再预留1个CF35接管法兰。
真空室右侧开出CF63接管法兰，安装磁力样品传递机构，可随时将样品台上的样品取下或放入，作为PECVD室的进出片室。
2.真空性能指标
本设备采用国产涡轮分子泵TYFB1200 + TRP-24机械泵组成的机组抽气，并设置旁路抽气回路。另外采用一台ZJP-30罗茨泵+机TRP-36械泵抽除工作废气。
2.1．极限真空
系统经12~24小时烘烤，分别单独连续抽气，PECVD腔室真空度达到P≤8×10-5 Pa，进样腔室真空度达到P≤1×10-4 Pa。
2.2．抽气速率
从大气开始抽气，分别单独抽气，在≤40分钟内，PECVD腔室真空度达到P≤2×10-4 Pa，进样腔室真空度达到P≤5×10-4 Pa。
2.3．系统漏率：整机漏率≤1×10-8 Pa.L/s，停泵关机12小时后，测量PECVD腔室真空度≤5 Pa；进样室真空度P≤15 Pa。
3.PECVD室电极
3.1.RF电极（上电极）
面积为180 mm×180 mm，金属波纹管密封可电动上下升降，与基片距离上下可调范围≥10~50 mm，RF电极莲蓬头式进气。能进行有效的高频绝缘，无辐射干扰，保证高频电源的可靠工作。并在等离子体辉光区上方做一屏蔽罩，以约束等离子体辉光区。
3.2．基片电极（下电极）
最大样品面积156 mm×156 mm，向下兼容，样品台金属波纹管密封可电动上下升降 (±40mm)、不自转、四周预留4个安装探针的螺纹孔。反应气体环形抽气口均布在基片下电极的四周，保证进气气流均匀的流过基片表面，促进了气体间的化学反应，从而在基片表面沉积形成均匀的固体薄膜。沉积区域镀膜不均匀度<8%
4.进样室样品台
最大样品面积156 mm×156 mm，向下兼容，样品台可电动上下升降 (±40mm)、不自转。
5.基片加热温度
PECVD室：基片表面从室温→700℃，连续可调，自动控温，控温精度±1℃，温度不均匀度≤±5℃；采用密封型加热器，加热器不对工作腔引入污染，加热器还要密闭在金属外罩内，反应气体不和高温的铠装加热器表面接触，避免了铠装加热器表面淀积沉积物。
6.电源
6.1.RF射频电源：
采用进口美国MKS公司RF射频功率电源，额定频率13.56 MHz，额定功率0～600W，带匹配网络及屏蔽措施，自动调协，无高频辐射干扰，能实现高频系统的稳定放电。
6.2.样品控温加热电源：
采用进口日本岛电公司产SRS13控温表（0.13级）控温加热，热电偶反馈测温，可控可调。
6.3.样品机架电动升降控制电源：
普通减速电机控制。
6.4.两室照明烘烤电源：
采用卤钨灯500 W/110 V各四支烘烤，采用100 W/25 V灯照明。
6.5.泵抽系统：TYFB1200+2XZ-8D；ZJP30+2XZ-4；两套机组控制电源。
6.6.总控电源：三相控制电源。
7.进气系统：
采用8路进口英国公司产MFC质量流量控制器进气，即H2，SiH4，GeH4，CH4，B2H6，PH3，N2，Ar2。气路采用VCR接口的英国warwick金属密封的质量流量控制器和相应的日本FUJIKIN公司产的低压气动截止阀及VCR管接头、VCR垫片、1/4 inch不锈钢管等，从而保证有毒气体或腐蚀性气体绝对可靠的密封住不外泄;带尾气吹扫功能，尾气吹扫气路采用相应的日本FUJIKIN公司产的低压气动截止阀及VCR管接头、VCR垫片、1/4 inch不锈钢管等，从而保证气体可靠的密封住不外泄。
在此8路气路及尾气吹扫气路所构成的进气系统接成之后统一用氦质谱检漏仪检漏，其所有气路管路的漏率≤1×10-8 Pa.L/S
8.配备反应气体抽出泵：ZJP-30罗茨泵+机械泵。
9.系统自动控制：
系统同时具备自动操控界面以及手动操控干预设置。
系统控制采用PLC可编程控制+触摸屏显示。系统控制主要包括真空系统抽气，各台气动闸板阀的开启与关闭；各旁抽角阀的开启与关闭；气路进气控制(各路质量流量计进气、各路气动截止阀的开关)、反应室压力控制和温度控制等。所有电源、人工控制部件和显示部件等都集成在电控柜和触摸屏上。
9.1.压力控制系统
PECVD室控制，工艺压强13.33 Pa~400 Pa，并力争到500 Pa。压力控制:选用美国MKS公司产电容薄膜规626B11TDE；两室共用一个MKS公司产控制蝶阀T3BIA，通过PLC可编程自动控制。
9.2.温度控制系统
PECVD室的衬底加热采用固定式铠装外加热方式，有保温隔热装置。衬底表面温度从室温可加热到700 ℃。样品加热采用日本岛电公司生产的SRS13表控温加热，K偶反馈测温。可连续自动控温，温度不均匀度≤±5 ℃，控温精度±1 ℃。
质保及售后服务
按行业标准提供服务。详见附件1。
附件
附件1-PECVD系统性能参数要求.pdf