根据单位建设需求，现对我部“光电子板卡物料”采购项目进行询价采购，欢迎对此有兴趣的供应商参加报名。
一、项目名称：“光电子板卡物料”采购项目
二、项目编号：2023-YKLIXY-W4030
三、采购方式：询价采购
四、采购内容：

光电子板物料
序号	芯片名称	主要参数	数量
1	8通道AD-DA-FPGA集成芯片	数模转换：最高采样率：≥5Gsps；模拟输入带宽：≥6GHz；分辨率：14bit；单芯片采样通道：4—8通道；模数转化：最高采样率：≥8Gsps；模拟输出带宽：≥6GHz；分辨率：14bit；单芯片采样通道：4—8通道；逻辑单元：逻辑单元数量：≥大于等于930K；CLB查找表数量：≥420K；Block RAM：≥35Mb；UltraRAM Blocks：≥48Mb；DSP Slices：≥4K；PCIE4×8：≥2；100GE：≥2；处理器：内核数量：≥4核；位宽：64位；主频：≥1.2Ghz；工作温度：-40℃～+85℃。	4
2	DCDC电源芯片	输入电压：4.5V—14V；输出电压：0.6V—1.8V；最大负载电流：≥40A；最大文波：≤20mV；工作温度：-40℃～+85℃。	2
3	DCDC电源芯片	输入电压：4.5V—14V；输出电压：0.6V—5V；最大负载电流：≥16A；最大文波：≤20mV；并联输出：支持多片并联输出；工作温度：-40℃～+85℃。	10
4	DCDC电源芯片	输入电压：2.6V—20V；输出电压1：2.5V—24V；输出电压1：-2.5V—-24V；最大负载电流：≥1A；最大文波：≤20mV；并联输出：支持多片并联输出；工作温度：-40℃～+85℃。	4
5	线性电源芯片	输入电压：1.1V—1.8V；输出电压：0.9V—1.5V；最大负载电流：≥3A；最大文波：≤20uVrms；工作温度：-40℃～+85℃。	6
6	线性电源芯片	输入电压：2.2V—6V；输出电压：1.2V—5V；最大负载电流：≥400mA；最大文波：≤49uVrms；工作温度：-40℃～+85℃。	6
7	线性电源芯片	输入电压：1.7V—5.5V；输出电压：0.8V—5.5V；最大负载电流：≥3A；最大文波：≤30uVrms；工作温度：-40℃～+85℃。	8
8	线性电源芯片	输入电压：2.2V—6.5V；输出电压：0.8V—6V；最大负载电流：≥1A；最大文波：≤84uVrms；工作温度：-40℃～+85℃。	6
9	DDR参考电压源	输入电压：2.5V 和 3.3V 输出电压：0.5V—1.8V；最大负载电流：≥2A；工作温度：-40℃～+85℃。	6
10	SPI FLASH	容量：≥2Gb；位宽：4bit；频率：≥80MHz；工作温度：-40℃～+85℃。	4
11	DDR4内存	容量：16Gb；位宽：16；主频：≥2400MHz；工作温度：-40℃～+85℃。	24
12	M2.0 NVME固态硬盘	容量：≥512GB；时钟主频：≥2400MHz；接口：支持PCIE4×4；工作温度：-40℃～+85℃。	4
13	低抖动低频锁相环PLL	最大输出主频：≥3.1GHz；VCO：内部自带VCO；超低抖动；工作温度：-40℃～+85℃。	2
14	低抖动高频锁相环PLL	最大输出主频：≥10GHz；VCO：内部自带VCO；超低抖动；工作温度：-40℃～+85℃。	2
15	高频锁相环PLL	输入频率：10Mhz—200Mhz输出频率：4GHz—6GHzVCO：内部自带VCOVCO Phase Noise：-128dBc/Hz @ 1MHz offset @ 6GHz1/f噪声10KHz/1GHz：-118dBc/Hz；工作温度：-40℃～+85℃。	2
16	中低频锁相环PLL	输入频率：10Mhz—400Mhz输出频率：50MHz—4GHzVCO：内部自带VCOVCO Phase Noise：-131dBc/Hz @ 1MHz offset @ 4GHz1/f噪声10KHz/1GHz：-116dBc/Hz；工作温度：-40℃～+85℃。	2
17	低噪锁中频相环PLL	输入频率：10Mhz—200Mhz输出频率：50MHz—6GHzVCO：内部自带VCOVCO Phase Noise：-132dBc/Hz @ 1MHz offset @ 6GHz1/f噪声10KHz/1GHz：-134dBc/Hz；工作温度：-40℃～+85℃。	2
18	嵌入式处理器	单核ARM架构芯片（参照不低于STM32F103VET6）；主频：≥50MHz；IO引脚数量：≥20；供电电压：3.3V；工作温度：-40℃～+85℃。	2
19	时钟fanout	操作频率：≥6GHz；抖动：≤100fs；扇出时钟数量：≥4路；工作温度：-40℃～+85℃。	4
20	8通道双向驱动芯片	A 端口： 1.2V 至 3.6V 的电压；B 端口： 1.65V 至 5.5V 的电压；方向：自动双向；最大速率：≥50MHz；通道数：8；工作温度：-40℃～+85℃。	8
21	2通道双向驱动芯片	A 端口： 1.2V 至 3.6V 的电压；B 端口： 1.65V 至 5.5V 的电压；方向：自动双向；最大速率：≥50MHz；通道数：2；工作温度：-40℃～+85℃。	8
22	4通道单向驱动芯片	端口电压： 1.2V 至 3.6V 的电压；方向：可配置单向；最大速率：≥50MHz；通道数：4；工作温度：-40℃～+85℃。	8
23	单通道单向驱动芯片	端口电压： 1.2V 至 3.6V 的电压；方向：可配置单向；最大速率：≥50MHz；通道数：1；工作温度：-40℃～+85℃。	4
24	IIC电平转换芯片	端口电压： 1.2V 至 5V 的电压；通道数：1；工作温度：-40℃～+85℃。	2
25	8通道IIC扩展芯片	端口电压： 1.2V 至 5V 的电压；输入通道：1；输出通道数：8；工作温度：-40℃～+85℃。	2
26	SD2.0电平转换芯片	端口电压： 1.2V 至 3.3V 的电压；输入通道：1；输出通道数：2；数据格式：SDIO；工作温度：-40℃～+85℃。	2
27	UART转232	UART转USB驱动芯片；工作温度：-40℃～+85℃。	2
28	1000M网络PHY	模式：MII、GMII 和 RGMII MAC 接口选项；规范：IEEE 802.3 10BASE-Te、100BASE-TX和 1000BASE-T ；功耗：≤500mW；工作温度：-40℃～+85℃。	2
29	复位芯片	上电延迟时间：≥10ms；工作温度：-40℃～+85℃。	2
30	EEPROM	接口：IIC；容量：≥1024字节；工作温度：-40℃～+85℃。	2
31	ESD保护芯片	速率：480Mbps；用途：USB的ESD，支持USB接口；工作温度：-40℃～+85℃。	2
32	电压比较器	电压范围：最大5V；速率：10M；输出：轨到轨；工作温度：-40℃～+85℃。	2
33	232驱动芯片	供电： 3.3V ；UART通道数：2个；工作温度：-40℃～+85℃。	2
34	Can驱动芯片	供电： 3.3V ；标准： ISO 11898-2 ；ESD：±16kV；节点数： 120 个节点；工作温度：-40℃～+85℃。	2
35	压控晶振	频率范围：10MHz；电源电压：3.3V；频率温度特征：±1ppm以内（工业温度范围内）；20年老化率：±3ppm以内；尺寸：7×5mm；工作温度：-40℃～+85℃。	2
36	温补晶振	频率范围：100MHz；电源电压：3.3V；频率温度特征：±20ppm以内（工业温度范围内）；1年老化率：±3ppm以内；工作温度：-40℃～+85℃。	2
37	PCIE LVDS差分时钟生成	格式：LVDS输出；输出频率：100MHz；输入频率：25MHz；频率稳定度：100ppm以内；工作温度：-40℃～+85℃。	4
38	200MHz LVDS差分晶振	格式：LVDS输出；频率：200MHz；频率稳定度：20ppm以内；工作温度：-40℃～+85℃。	4
39	156.25MHz LVDS差分晶振	格式：LVDS输出；频率：156.25M；频率稳定度：20ppm以内；工作温度：-40℃～+85℃。	2
40	射频接插件FMC底座	针脚：320；速率：10GHz；是否镀金：是；工作温度：-40℃～+85℃。	2
41	射频接插件FMC插头	针脚：320；速率：10GHz；是否镀金：是；工作温度：-40℃～+85℃。	2
42	巴伦（balun）	带宽：覆盖100—6000Mhz；阻抗：50欧姆；工作温度：-40℃～+85℃。	40
43	C波段高速光电转换器	最大通信速率：9Ghz（-3dB corner）；光灵敏度：≤-19dBm；暗电流：≤10nA；贴片焊接；工作温度：-40℃～+85℃。	16
44	国产射频模拟移相器	工作频段： 3GHz～6GHz；移相范围： ＞360°；回波损耗： 15 dB typ；插入损耗： 3.5 dB typ；工作温度：-40℃～+85℃。	10
45	射频滤波器	中心频率：5.1GHz；带宽：400MHz；通带内插入损耗：1.5dB；通道内波动：1dB；带外抑制：35dB@4600MHz，35dB@5600MHz；工作温度：-40℃～+85℃。	12
46	射频功分器	带宽：2900—6200MHz；功能：1分2；工作温度：-40℃～+85℃。	8
47	国产射频放大器	带宽：4600—5000MHz；增益：32dB；最大输出功率：28dBm；工作温度：-40℃～+85℃。	8
48	国产射频数字衰减器	宽带: 1~6000 MHz；衰减范围：31.5dB，步进0.5dB；高功率: IP0.1dB 31dBm；高线性: IIP3 50 dBm；高精度: ±(0.15 + 3% x ATT) @ 4 GHz；防静电: ESD 3000V@HBM；小尺寸: QFN 4x4mm2 20脚塑料封装；支持多种控制方式: 串口、并口切换过程无过冲；工作温度：-40℃～+85℃。	8
	合计金额（元）		195000.00

五、供应商资质
1、中国境内注册，具有独立法人资格，具有相关的经营范围，具有履行合同所必须专业技术能力，企业单位提供营业执照复印件（事业单位提供事业单位法人证复印件）、税务登记证复印件和组织机构代码证复印件。
2、参加本项目询价活动前，三年内无重大违法违约记录承诺书（加盖单位公章）。
3、本项目不接受联合体询价，不接受关联公司询价。
六、询价文件获取
此项目公示时间为公示发表日期起的3个工作日，有意向参加的供应商报名时间为项目公示发布日期起的5个工作日（北京时间，节假日除外），并按以下步骤领取询价文件模板：
（1）电话短信方式通知报名联系人；
（2）以“某某公司参加基于FMI标准的网电模型组件开发与集成基础框架软件采购项目”为邮件标题，将以下内容发送至采购联系人邮箱（民网邮箱号：Kdoptics@163.com）：
1）投标人全称、项目名称、联系人姓名、电话、电子邮箱；
2）营业执照pdf扫描件；
3）法定代表人授权书pdf扫描件（含法定代表人和被授权人身份证复印件）；
4）无重大违法违约记录承诺书（加盖公章）
采购人将以电子邮件的形式向供应商发送信件文件。
（3）询价文件免费领取。采购人将以电子邮件形式向报价商发送询价文件。
七、递交响应文件时间、地址
1、响应文件递交时间按发出询价文件要求时间为准。
2、响应文件递交地址：湖南省长沙市，投标人按询价文件要求递交响应文件。
八、报名联系电话
联系人：付老师
电 话：15575966483
地 址：湖南省长沙市
九、采购管理办公室
胡老师   刘老师
0731-87001032   0731-87001065