申购单号：CC105902021001765成交总额：189320.0
申购主题：半导体衬底片 送货时间：合同签订后90天内送达
采购单位：深圳大学 安装要求：免费上门安装（含材料费）
竞价开始时间：2021-11-02 18:25:01 收货地址：
竞价截至时间：2021-11-12 04:47:44
币种：人民币
付款方式：货到验收合格后付款
备注说明：
质疑说明：如果对成交结果有异议，请在发布成交结果之日起三个工作日内向采购单位提出质疑
竞价结果：
采购项：半导体衬底片 品牌： 定制 型号： 定制
成交总价：189320.00
成交供应商：湖北三维半导体集成制造创新中心有限责任公司
质保及售后服务： 按行业标准提供服务
技术参数： 1、此衬底片尺寸为12英寸，该衬底材质为重掺杂型半导体Si片。 2、衬底片表面具有图形画的阵列电极，各电极直径90 nm± 5 nm。 3、各电极之间间距大于60 ± 5 μm。 4、各器件单元阵列中包含公共电极，且公共电极与各单电极之间可形成导电通路。 5、所有电极均包覆在SiNx薄膜层内，该薄膜层厚度为~100 nm。 6、互联底电极由Al、TiN薄膜组成，厚度分别为~300 nm与50 nm。 7、衬底上的图形结构要求如下：整个衬底上包含若干个阵列，各个阵列之间的电路相互独立。阵列内部包含两个公共电极和不少于30个独立电极。独立电极间的距离~70 μm，公共电极是由间距~18 μm的若干独立电极构成。独立电极为直径~100 nm、高~90 nm的TiN圆柱体，周围由保护材料SiO2包围。在TiN电极或SiO2下面是导电层，导电层自上而下是~50 nm的TiN、~250 nm的Al、~50 nm的TiN层。导电层下面是~10 nm的绝缘层SiO2，再下面就是高质量的Si衬底。