招标
一体化集成电路ATE测试系统
金额
550万元
项目地址
湖北省
发布时间
2024/09/06
公告摘要
公告正文
为便于供应商及时了解政府采购信息，根据《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》（财库〔2020〕10号）等有关规定，现将华中科技大学2024年10月至12月政府采购意向公开如下：
| 序号 | 采购项目名称 | 意向编号 | 采购品目 | 采购需求概况 | 预算金额(万元) | 预计采购日期 | 备注 |
| 1 | 高重频大能量飞秒激光器 | YX202400161 | A02100309激光仪器 | 拟采购高重频大能量飞秒激光器1台，是优质飞秒激光光源是开展飞秒及阿秒光学研究的前提条件。该设备具有优良的性能，完全可以支持飞秒及阿秒非线性光学等研究的顺利开展。中心波长：1030+/-10 nm,功率稳定性Power Stability： ＜ 1% RMS； ？服务要求：供应商需提供全面的技术支持与维护服务，包括但不限于安装指导、操作培训及故障排除；质保期：3年以上，质保期内由厂家提供免费维修或更换。 安全要求：产品需符合国际安全标准，配备必要的安全防护措施，保障使用者的安全。 | 198 | 2024年10月 | 无 |
| 2 | 一体化集成电路 ATE测试系统 | YX202400162 | A02110205集成电路参数测量仪 | Pattern，最大采样率125MS/s； 5、8通道GPIO，5V TTL输入电平，3.3V LVTTL输出电平； 6、4通道示波器，100MHz带宽，1GS/s采样率，分辨率8bits； 7、2通道任意波形发生器，频率20MHz，分辨率14bits； 8、包含数字万用表功能，分辨率5？，最大电压300V； 9、包含可编程直流电源功能，电压范围6V/±25V，最大电流1A； 10、内置高性能X86处理器，预装Win10操作系统，搭载13.3寸触控屏幕； 11、包含触摸交互侧屏，支持实验对应的教学知识点原理动画或视频展示以及实验原理、实验操作及结果记录等指导图文展示； 12、支持互联网远程访问和控制，学生实验过程记录及评价； 13、配套专用半导体参数测试软件和集成电路芯片测试软件，提供可自由配置仪器参数功能的软面板，支持测量曲线和参数数据的完整展示和查看； 14、支持LabVIEW、C和Python开发； 15、提供4种真实芯片（ADC芯片、运算放大器芯片、74系列芯片、Memory芯片）的待测件； 16、搭载面包板，配套实验线缆、实验对象板卡、完整的实验指导书和实验代码， | 160 | 2024年10月 | |
| 3 | 双光子高精度三维直写光刻系统 | YX202400163 | A02100503工艺试验机 | 拟购双光子高精度三维直写系统1套。 主要技术指标： 1.工艺极限线宽达到50nm； 2.具备3D、2.5D、2D图形高精度直写能力； 3.在适用性方面，可满足多种衬底、光刻胶的加工需求。 4.横向最小特征尺寸≤50nm、横向最佳分辨率≤200nm、纵向最小分辨率≤300nm、拼接精度≤200nm、最小表面粗糙度≤30nm。 | 400 | 2024年10月 | |
| 4 | 铪基铁电薄膜原子层沉积系统 | YX202400164 | A02052402真空应用设备 | 拟购铪基铁电薄膜原子层沉积系统1套。 主要技术指标： 1、反应腔兼容8英寸以下的衬底，工艺温度为室温至500℃； 2、配备6条的前驱体源管路，3路常温液态源系统，3路加热源系统，管路最高加热温度300℃； 3、配备预真空系统； 4、配置1套氧气和臭氧气体供给管路； 5、沉积HfO2 (TEMAHf +H2O)，8英寸内薄膜厚度不均匀性≤2%，沉积ZrO2 (TEMAZr +H2O)，8英寸内薄膜厚度不均匀性≤2%。（ 1sigma, 边缘去除5mm, 薄膜厚度采用椭偏仪测试） | 350 | 2024年10月 | |
| 5 | 中大规模芯片检测分析平台 | YX202400165 | A02110205集成电路参数测量仪 | 单、双、四运放的原理及硬件集成； 数字资源集电压源、电流源、IVR测量、同步信号触发、数据采集器功能一体； 高精密数字板，测量范围+15V至-15V，+250mA至-250mA； 精度满量程0.5%，全量程电压纹波小于1mV； 定时边沿分辨率5nS，图形存储深度均不低于1M。驱动比较波形周期分辨率5nS； 频率涵盖0~200KHz，频率准确度在±0.5%以内； 测试IC直流参数，可以提供加压测流、加流测压的工作方式 具有全量程电压箝位保护功能 电压档位：±15V 分辨率：0.5mV 精度：±(1‰+20mV) 电压档位：±2V 分辨率：0.2 mV 精度：±(1‰+5mV) 具有全量程电流箝位保护功能 电流档位：±2uA 分辨率：0.1nA 精度：±(5‰+80nA) 电流档位：±20uA 分辨率： | 130 | 2024年10月 | |
| 6 | 铁电存储器离子束刻蚀系统 | YX202400166 | A02100503工艺试验机 | 拟购铁电存储器离子束刻蚀系统1套。 主要技术指标： 1.反应腔室极限真空＜7*10e-7torr,腔室漏率＜1mTorr/min; 2.配备8英寸下电极，下电极温度范围5~35℃，温度均匀性≤5%设定值； 3.下电极转动角度范围-90~80°，step 1°；下电极转速范围0~20rpm; 4.刻蚀速率＞100A/min，片内片间均匀性＜5% | 550 | 2024年10月 | |
| 7 | 介电功能材料综合测试系统 | YX202400167 | A02110202敏感元件、磁性材料、电感元件测量仪 | 拟购介电功能材料综合测试系统1套。 主要技术指标： 1.铁电模块：内置±40V测试电压，外扩5kV高压放大器，最大PE测试频率5 kHz，最大电荷解析度10 mC，温度范围-160℃～260℃，漏电流范围 1 pA ～ 20 mA，配有高压击穿保护模块、超温自动断电保护模块； 2.介电模块：标准介电频率范围100 Hz～1MHz，温度范围-180℃～400℃；偏压介电频率范围100 Hz～200kHz，温度范围-180℃～260℃，最大偏压5kV; 3.热释电模块:测量范围0.1 pA～ 1μA，温度范围-180 ℃～ 260 ℃ ，控温精度±0.1 ℃； | 130 | 2024年10月 | |
| 8 | 高真空双室磁控溅射薄膜沉积系统 | YX202400168 | A02052402真空应用设备 | 拟购高真空双室磁控溅射薄膜沉积系统1套。 主要技术指标： 1、基片尺寸：8 英寸（兼容小尺寸基片） 2、配备溅射室和进样室双腔室 3、磁控溅射靶：8英寸,3套； 4、配置1套直流电源，2套射频电源： 5、配置3路工艺气体氩气，氮气，氧气 6、膜厚均匀性：TiN薄膜300nm在8英寸内非均匀性≤5%，可沉积AlScN薄膜（9点测试） | 350 | 2024年10月 | |
| 9 | 激光脉冲分子束外延 | YX202400169 | A02052402真空应用设备 | 拟购激光脉冲分子束外延1台。 主要规格参数：1.激光波长：380nm；2.超高真空配置高能电子束衍射RHEED；3.RT-850摄氏度范围沉积；4.四靶位靶台，每个2英寸靶都可以插拔；5.可以通N2、O2、Ar三路气氛；6.真空度可达7e-9Torr；7.激光重频：50Hz；8.激光能量：700meJ；9.样品尺寸：4英寸；10.加热温度：室温-850℃ | 350 | 2024年10月 | |
| 10 | 湿法化学清洗站 | YX202400170 | A02319900其他化学药品和中药设备 | 拟购湿法化学清洗站1套。 主要规格参数：1. 兼容氢氟酸刻蚀 2. 兼容氢氧化钾刻蚀 3. 兼容过氧硫酸清洗和RCA清洗 4. 兼容兼容金属刻蚀 | 235 | 2024年10月 | |
| 11 | 二氟化氙气体刻蚀系统 | YX202400171 | A02052402真空应用设备 | 拟购二氟化氙气体刻蚀系统1套。 主要规格参数：1. 衬底尺寸：最大6寸 2. 刻蚀速率：最快1um/min | 106 | 2024年10月 | |
| 12 | 高速实时示波器 | YX202400172 | A02100205记录电表、电磁示波器 | 拟购高速示波器1套。 主要技术指标： 1.带宽：两通道33GHz，四通道16GH采样率：两通道80GSa/s,四通道40GSa/s 2.硬件ADC位数：8bit 3.每通道存储深度:200Mpts,最高可升级到2Gpts 4.固有抖动：≤100fs RMS(采样时间≤1ms) 5.垂直噪声:33GHz带宽，50mV/格时，≤2.1mV(rms) 6.时间量程精度：≤± [0.1 ppm(校准后的即时精度)± 0.1 ppm/ 年(老化率)] | 257 | 2024年12月 | |
| 13 | 矢量网络分析仪 | YX202400173 | A02110400网络特性测量仪 | 拟购矢量网络分析仪1台。 主要技术指标： 1.测试频率范围：10MHz至67GHz 2.测试端口数：4个，每个端口内置Bias Tee 3.测试端口处系统动态范围（指标值）：≥126dB@0.5GHz-26.5GHz，≥116dB@26.5GHz至35GHz, ≥106dB@35GHz至40GHz，≥109dB@40GHz至67GHz 4.测试端口输出最大功率（典型值）：≥+15dBm@10MHz至16GHz,≥+11dBm@16Hz至35GHz，≥+8dBm@35GHz至67GHz 5.内置源相位噪声（10kHz频偏）：≤-128dBc/Hz@1GHz载波，≤-110dBc/Hz@10GHz载波 6.具有差分IQ测量功能 | 230 | 2024年12月 | |
| 14 | 频谱分析仪 | YX202400174 | A02100499其他分析仪器 | 频谱分析仪1台。 主要技术指标： 1.频率范围：2Hz至50GHz 2.信号分析带宽不小于510MHz 3.测试总体幅度精度（95%置信度）：±0.19 dB（f<3.6GHz） 4.显示平均噪声电平（指标值）：前置放大器打开：≤-164dBm@1GHz,≤-161dBm@10GHz, ≤-157dBm@30GHz, ≤-152dBm@40GHz,≤-146dBm@50GHz;前置放大器关闭：≤-154dBm@1GHz,≤-153dBm@10GHz，≤-146dBm@30GHz, ≤-140dBm@40GHz,≤-138dBm@50GHz 5.三阶交调截断点（TOI，指标值）：≥+20dBm@1GHz，≥+16dBm@10GHz，≥+13dBm@20GHz，≥+13dBm@30GHz，≥+10dBm@50GHz 6.相位噪声（载波1GHz，指标值）：≤-129dBc@10kHz频偏，≤-145dBc@1MHz频偏，≤-155dBc@10MHz频偏 | 148 | 2024年12月 | |
| 15 | 12寸半自动晶圆探针台及测试系统 | YX202400175 | A02110204半导体器件参数测量仪 | 拟购12寸半自动晶圆探针台及测试系统1套。 主要技术指标： 1.支持12寸及以下晶圆和器件的半自动分析与表征 2.提供4路IV直流测试通道，最小测试分辨率0.1fA，支持CV测试，频率范围：20Hz to 2MHz 3.支持制程芯片1/f噪声测试，最高带宽：100kHz，本底噪声：1e-28A2/Hz | 312 | 2024年12月 | |
| 16 | 存储芯片FT测试自动化分选机 | YX202400176 | A02100111自动成套控制系统 | 拟购存储芯片FT测试自动化分选机1台。 主要技术指标：用于先进存储器芯片智能检测设备中的存储器芯片自动化上下料，属于定制设备。结合测试工单系统，将指定的待测芯片抓取并按方向放入指定的测试板的socket中，自动化分拣系统需与测试工单系统邦定，获取测试结果，并于物理位置对应，准确的将测试芯片按照筛选结果抓取并分拣下料放入指定的分级料盘中。 该设备包括但不限于载具定位模块、相机定位机构模块、光源定位机构模块、设备运转电机模组、料仓缓存区等，具体结构形态需与自研开发的闪存存储芯片测试板结构适配定制。支持BGA132 & BGA152封装的闪存存储芯片测试，支持并测数最大512通道，设备效率UPH:>4000@BIN 1; | 319 | 2024年12月 | |
| 17 | 无液氦综合物性测量系统 | YX202400177 | A02100402物理特性分析仪器及校准仪器 | 拟购无液氦综合物性测量系统1台。 主要技术指标：1.温度范围：<1.9K，-400K；2.温度稳定性：温度低于20K时，±0.1%；温度高于20K时，±0.02%；3.磁场强度：0～±14T；4.场均匀性：0.1% over5.5cm on axis；5.扫描速度：0.2～100 Oe/s；6.振动样品磁强计直流磁学测量功能选件：7.最大可测磁矩：40emu/振动峰值；8.振动幅值：0.5mm～10mm；9.振动频率：10Hz～80Hz；10.灵敏度：优于10e-6 emu | 600 | 2024年10月 | |
| 18 | 三维光学轮廓仪 | YX202400178 | A02100304光学测试仪器 | 拟购三维光学轮廓仪1台。 主要技术指标：1.光源：内置两个独立的长寿命 LED 光源，根据不同工作模式的需要单独或同时激发，在两个光源之间转换时没有任何机械转动以及随之产生的时间延迟和振动，避免影响光路及测量精度。 2.垂直方向单次测量量程：≥10mm，全量程闭环控制，不采用压电陶瓷垂直方向多次拼接方式，保证全量程的测量精度。 3.CCD：像素≥500 万，阵列≥1200 x 1000。 4.样品台倾斜调整：调节范围≥±6°。 | 180 | 2024年10月 | |
| 19 | 霍尔效应测试仪 | YX202400179 | A02110204半导体器件参数测量仪 | 拟购霍尔效应测试仪1台。 主要技术指标：测量包括：迁移率，载流子浓度，电阻率，电阻，范德堡法测试，霍尔巴法测试；电磁铁:±2.5T，±35V，±70A；线圈电阻: 0.5Ω（20度）；温度选项：低温3K～300K；高温300K～1273K；磁场扫描采用集成高斯计，磁场校准采用霍尔探头，所有参数可通过软件控制 | 180 | 2024年10月 | |
| 20 | 高真空多靶共聚焦溅射台 | YX202400180 | A02052402真空应用设备 | 拟购6英寸高真空多靶共聚焦溅射台2套 主要技术指标：可加工基片尺寸：6英寸并向下兼容；极限真空优于5x10-7Torr；样品台可旋转，配备可传送样品托盘和预真空室；配备2英寸高真空共溅射靶枪，预留2个法兰接口，可集成2个最大3英寸靶枪；带1套射频电源和2套直流电源，沉积均匀性：±5% @100mm基片 | 800 | 2024年10月 | |
| 21 | 原子层沉积系统 | YX202400181 | A02052402真空应用设备 | 拟购原子层沉积系统1套 主要技术指标：1、反应腔兼容8英寸以下的衬底，工艺温度为室温至500℃； 2、配置一套等离子系统，射频电源频率13.56MHz，功率0-300W可调 3、配备4条前驱体源管路，2路常温液态源系统，2路加热源系统，管路最高加热温度300℃； 4、配备预真空系统； 5、配置1套氨气和1套氮气工艺气体供给管路； 6、8英寸内薄膜厚度不均匀性≤2%，支持Sc掺杂氮化铝的制备（ 1sigma, 边缘去除5mm, 薄膜厚度采用椭偏仪测试） | 400 | 2024年10月 | |
| 22 | 相变材料测试仪 | YX202400182 | A02110203电子元件参数测量仪 | 拟购相变材料测试仪1台 主要技术指标：1.温度范围：RT-1200℃；2.程序升温重复性偏差：＜ 1.0%，速率偏差 ＜ 1.0%；3.相变温度测量精密度偏差：＜ 3.0%，正确度偏差＜3.0%；4.热膨胀系数测量精密度偏差：＜4.5%，正确度偏差＜ 15% | 100 | 2024年10月 | |
| 23 | 晶圆键合机 | YX202400183 | A02100699其他试验仪器及装置 | 拟购晶圆键合机1台。 主要技术指标：样品尺寸：8英寸向下兼容； 腔内真空度：最低5.50×10-5mbar； 腔内压强精度：±2.5%（0.1-10mbar）、±1% （10-1000mbar）； 加热温度：上下键合加热板温度独立可控，最高可至500℃；温度均匀性±2%（片内）、温度重复性±= 3℃，降温速度：12=℃/min，最大压力≥60kN | 550 | 2024年10月 |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
华中科技大学采购与招标中心
2024年09月06日
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