一、项目基本情况
原公告的采购项目编号：GXTC-A1-24630855　　　　　　
原公告的采购项目名称：北京理工大学无掩膜深硅刻蚀检测一体化系统采购公开招标公告　　　　　　
首次公告日期：2024年12月06日　　　　　　
二、更正信息
更正事项：采购公告
更正内容：
 
1、原招标公告中附件中“主要技术要求”：
附件：
主要技术要求
无掩膜深硅刻蚀检测一体化系统主要包括设备如下：
无掩膜高深比切割与检测设备1台：该设备能够实现高深宽比的加工，根据需要快速调整加工图案，适应不同的加工需求。此外该设备无需掩膜版，因此减少了掩膜版的制作和更换成本，实现小批量、多品种的快速加工。
离子增强刻蚀设备1台：通过化学反应或物理方法去除硅基材料，以形成深沟槽或高深宽比结构的工艺设备。其基于化学反应刻蚀或高能离子束刻蚀，通过化学反应生成挥发性物质，从而去除硅基材料。而在高能离子束刻蚀中，则利用离子束对硅片进行轰击，使硅片表面的原子被剥离，形成所需的结构。
注：其他技术要求详见招标文件
现更正为：
附件：
主要技术要求
无掩膜深硅刻蚀检测一体化系统主要包括设备如下：
无掩膜高深比切割与检测设备1台：该设备能够实现高深宽比的加工，根据需要快速调整加工图案，适应不同的加工需求。此外该设备无需掩膜版，因此减少了掩膜版的制作和更换成本，实现小批量、多品种的快速加工。
离子增强刻蚀设备1台：通过化学反应或物理方法去除硅基材料，以形成深沟槽或高深宽比结构的工艺设备。其基于化学反应刻蚀或高能离子束刻蚀，通过化学反应生成挥发性物质，从而去除硅基材料。而在高能离子束刻蚀中，则利用离子束对硅片进行轰击，使硅片表面的原子被剥离，形成所需的结构。
（一）无掩膜高深比切割与检测设备
1. #最大峰值刻蚀功率≥2000w。
2. 平均刻蚀功率≥100w。
3. #平台测试定位精度：不高于± 0.2μm。
4. 需要包含惰性气体保护系统。
5. 刻蚀速度范围包括50~1000μm/min。
6. 光学放大倍率范围包括4~10倍。
7. 精密测量模块定位精度：不高于± 0.2μm。
8. 直线度：不高于± 0.4μm。  
9. #测量行程≥200 mm。
10. 输出频率包括0~40Mhz。
11. #输出通道≥2。
12. 上升/下降时间≤9 ns。
13. 测试波长范围包括400~1100nm。
14. 相位分辨率≤2 nm。
15. 具有高速Hyperwire光纤通讯接口。
16. 支持.Net及C++等编程语言二次开发。
17. ★最大刻蚀深度≥20 mm。
（二）离子增强刻蚀设备
1.晶圆大小：四英寸。
2.工艺腔内径≤300mm，内壁需要经耐腐氧化处理。
3.工艺腔内壁需要带有内衬，内衬表面需要经耐腐氧化处理。
4.工艺腔内壁加热范围应包括20~120℃。 
5.上功率源功率范围应包含10~2000W，支持预置匹配点，支持脉冲功能。
6.上功率源需要支持固定匹配点运行，允许反射功率在40%设定功率值的情况下连续运行。
7.#上功率两路输出，调节等离子体分布。
8.#采用立体等离子体源，石英耦合窗，使用立体螺旋功率耦合天线，支持远等离子体技术。 
9.#载片台直径不小于160mm。
10.下功率源功率范围应包含0~600W，支持预置匹配点，支持脉冲功能。
11.#下功率源支持固定匹配点运行，允许反射功率在40%设定功率值的情况下连续运行。
12.可控制基片表面温度，控温范围为-20℃~10℃。
13.真空系统分子泵抽速≥1000L/s。
14.#工艺腔本底极限真空度达到5E-4Pa以上。
15.气体配置包含如下气体管路：Ar、O2、CHF3、CF4、SF6、C4F8。
16.#采用质量流量计（MFC）控制气体流量，MFC支持更改气体种类与气体量程。
17.★最大刻蚀深度大于300um。
注：其他技术要求详见招标文件
2、原招标公告中附件中“1.采购人信息”：
联系方式：张老师
联系电话：010-68917514
现更正为：
联系方式：林老师
联系电话：010-68917981
招标公告其他内容不变
更正日期：2024年12月07日　
三、其他补充事宜
无
四、凡对本次公告内容提出询问，请按以下方式联系。
1.采购人信息
名 称：北京理工大学　　　　　
地址：北京市海淀区中关村南大街5号　　　　　　　　
联系方式：林老师 010-68917981　　　　　　
2.采购代理机构信息
名 称：国信国际工程咨询集团股份有限公司　　　　　　　　　　　　
地　址：北京市丰台区丰葆路158号院国信招标　　　　　　　　　　　　
联系方式：张女士18610905266　　　　　　　　　　　　
3.项目联系方式
项目联系人：张女士
电　话：　　18610905266