项目名称	SiC功率器件	项目编号	J-2024075
项目编号	J-2024075
公告发布日期	2024/05/31 17:18	公告截止日期	2024/06/03 17:18
公告截止日期	2024/06/03 17:18
采购单位	湖南大学
联系人	中标后在我参与的项目中查看	联系手机	中标后在我参与的项目中查看
联系手机	中标后在我参与的项目中查看
采购预算	未公开	币种	RMB
币种	RMB
是否本地化服务	否	是否需要踏勘	否
是否需要踏勘	否
踏勘联系人		踏勘联系电话
踏勘联系电话
踏勘地点		踏勘联系时间
踏勘联系时间
送货/施工/服务期限	合同签订后 30 天内到货
送货/施工/服务地址	湖南大学电能高效高质转化全国重点实验室214
售后服务	按行业标准执行
付款条款	国产设备：1.供应商在申请验收前，须先把合同总金额的（/）%作为质保金交到采购人指定账户，并开具合同金额100%发票；2.货到合同指定地点并安装调试验收合格后，凭验收报告在10个工作日内支付合同总金额的（100）%；3.在验收合格之日起的（/）年后无质量问题，经采购人认可，一次性将合同质保金无息退还供应商。

   采购清单
1

采购内容		数量单位
650V Sic_MOSFET		100(个)
参考品牌及型号	CREE/C3M0015065K
技术参数要求	技术参数： 沟道类型 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压 650V Id-漏极电流(25℃) 120A Pd-功耗 416W产品要求： （1）器件必须是未拆封、原装正品； （2）生产批次不早于2023年；

   采购清单
2

采购内容		数量单位
1700V Sic_MOSFET		50(个)
参考品牌及型号	CREE/C2M0045170P
技术参数要求	技术参数： 沟道类型 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压 1700V Id-漏极电流(25℃) 72A Pd-功耗 520W产品要求： （1）器件必须是未拆封、原装正品； （2）生产批次不早于2023年；

   采购清单
3

采购内容		数量单位
1200V Sic_MOSFET		200(个)
参考品牌及型号	CREE/C3M0032120K
技术参数要求	技术参数： 沟道类型 1个N沟道Vds-漏源击穿电压 1200VId-漏极电流(25℃) 63APd-功耗 283W产品要求： （1）器件必须是未拆封、原装正品； （2）生产批次不早于2023年；

   采购清单
4

采购内容		数量单位
功率器件-SiC模块		100(个)
参考品牌及型号	CREE/CAB011M12FM3
技术参数要求	技术参数： 漏极至源极电压 (Vdss) 1200V (1.2kV) 操作温度 -40°C ~ 150°C (TJ) FET特性 - 封装/外壳 Module 配置 2 N-Channel (Half Bridge) 在Vds时的输入电容（Ciss）（最大） 10300pF @ 800V 出口管制分类号 (ECCN) EAR99 安装类型 Chassis Mount 最大漏源极电阻 @ Id, Vgs 14mOhm @ 100A, 15V 供应商器件封装 - 栅极阈值电压（最大）@ Id 3.6V @ 35mA产品要求： （1）器件必须是未拆封、原装正品； （2）生产批次不早于2023年；