碳化硅肖特基加工（沟槽结构、平面结构）（Dlmu-FS-20240844）单一来源公示 项目编号：Dlmu-FS-20240844 项目名称：碳化硅肖特基加工（沟槽结构、平面结构） 公示时间：2024 年 11 月 14 日- 2024 年 11 月 19 日 拟成交单位 ：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 采购预算：139547 元 采购内容：进行碳化硅肖特基加工，两种结构（沟槽结构、平面结构），具体要求 如下： 沟槽型肖特基方案 1、标准清洗 2、标记刻蚀 3、电镀 4.5μmNi 4、刻蚀 45μmSiC 5、表面刻蚀损伤优化，牺牲氧化：1100℃1h*2 次 6、W/Au 样品介质层生 长，干氧 30min，Ni/Au 样品不需要 7、背面欧姆制备，150nmNi，快速退火：1000℃，2min 8、沟槽内金属溅射，一片 W/Au（200/150），一片 Ni/Au（200/150） 9、划片道金属刻蚀 平面肖特基方案 1、标准清洗 2、标记刻蚀 3、正面 LPCVD 生长 400nm 氮化硅钝化层 4、背面欧姆制备，150nmNi，快速退火：1000℃，2min 5、正面 肖特基开窗 6、正面肖特基制备 Ni200nm，快速退火：500℃，5min 7、正面金属加厚 图形化：Ti/Au（20/300nm） 单一来源理由：本次采购的碳化硅器件加工，需要在 6 吋的碳化硅晶圆全局刻蚀 45 微米深槽。器件加工需要在超高真空下进行，需要深槽内均匀沉积金属，形成肖特 基二极管结构。加工过程需要特定的综合工艺制备方案，加工器件需要特殊的退火处理。 另外根据图形化需求，需要加工单位具有比较成熟的碳化硅深槽刻蚀技术。 经调研，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所（苏纳所）的纳米加工平台长期从事半导体 材料与器件、工艺相关研究，包括碳化硅材料外延生长、器 件加工，拥有完备的加工 和测试设备。并且在碳化硅器件制备中发表多篇高水平论文和申请相关专利多项，具备 丰富的工艺开发和整合经验，适于承接该类研发器件代工工艺技术支持与搭载流片服务。 本次加工，涉及“4H-SiC 光子晶体微谐振腔及其制备方法”和“碳化硅二极管及其制 备方法”两项专利技术的应用。 因此，苏纳所加工平台是目前唯一能够满足本次器件 加工要求并愿意提供加工服务的单位。拟采用校内单一来源采购方式。 论证小组成员：曹菲,宋延兴,张维 有关单位或个人如对本项目采用校内单一来源采购方式有异议，应在公示期内以书 面形式向大连海事大学招投标与采购中心反映。 联系人：崔迪 联系电话：13352209224 国有资产与实验室管理处 招投标与采购中心 2024 年 11 月 14 日