一、采购人：清华大学

二、地址：北京市海淀区清华园

三、联系方式：王琦sbcwq@tsinghua.edu.cn

四、项目名称：IntelliSuite软件采购项目

项目编号：清设招第2022126号

五、采购内容：IntelliSuite软件

六、采用单一来源采购方式原因及说明

我校因教学科研的需要，拟购买融MEMS设计、工艺仿真、多物理场仿真于

一体的MEMS领域仿真设计软件。软件模块需求涵盖IntelliSuite软件全部功

能模块。经调研，目前市场上只有IntelliSuite公司的软件才能满足上述功能，

故采用单一来源方式进行采购。江苏英特神斯科技有限公司是IntelliSuite公

司在中国国内的代理商，持有IntelliSuite软件原厂提供的单一来源采购授权

书。

七、基本配置和要求：

1、名称：IntelliSuite，服务器最新版，授权5用户。2、授权时间：长期，授权内容：IntelliSuite软件全部功能。3、提供多版本平台授权及访问方式，以供用户在不同环境下使用，支持Windows、macOS、Linux操作系统。4、要求以上正版软件集成在我单位指定的集群计算系统上，实现管理员自主管

理软件的使用权限。

5、详细配置：包括IntelliSuite软件的版图设计、工艺模拟、参数仿真、材料数

据库、多物理场耦合、系统分析等方面的全部功能模块。软件首年免费升级。

6、各模块具体功能如下：模块1：Blueprint高级版图编辑模块1.专用于编辑MEMS版图的设计工具；2.多层版图编辑功能；3.可对版图进行布尔运算；4.形状和拓扑学的完美结合；5.自动生成最优的器件结构版图；6.能读取BMP,JPG,PNG等图片格式的文件；7.能通过已有层按照一定规则自动产生一系列新的单元至指定层；8.对顶点数过多的多边形进行自动简化与切割；9.能够绘制椭圆、弧形、不规则曲边和正弦曲线等复杂版图；10.参数脚本编辑功能：改变器件参数，可以快捷、方便地修改器件结构,大大缩

短设计时间；

11.修改或创建新的参数脚本；12.使用基于单元的VBS脚本创建复杂版图；13.完整的GDSII文件转化功能；14.兼容业界主流文件格式GDSII,MSK,DXF；15.支持DESIGNRULECHECK；

支持对版图进行各种布尔操作，可以很方便地创建复杂的结构；

完全支持CELL层状结构；

三维结构的工艺过程预览；

提供Measurementanddimensioningtools，可以很方便地对版图进行标注。

16.17.18.19.模块2：IntelliFab工艺流程编辑模块1.结合材料、版图创建器件的工艺流程，并可输出到FabSim模块生成三维虚拟模型，输出到TEM模块进行分析；2.完整的MEMS工艺流程，包括沉积、光刻、刻蚀、键合、电镀等工艺。用户

可添加自有工艺；

3.支持标准MEMS工艺，如MUMPS,SCREAM,SUMMIT,LIGA,BoschSurfaceMicromachining等；4.用户可创建自有工艺；5.图形化的硅和石英等材料各向异性湿法刻蚀速率展示与调节工具；6.支持SOI材料，支持电阻率与方块电阻参数同步；7.支持输出Excel格式工艺流程单；8.结合FabSim模拟工艺流程生成的器件的三维模型；9.结合TEM分析对器件的影响，实现更精确的多物理场模拟；模块3：FabViewer三维工艺模拟模块1.基于三维体素操作的强大的工艺演示工具；2.动画形式显示工艺过程；3.模拟任意工艺步骤后器件的三维模型；4.支持绝大多数MEMS工艺仿真，包括：各向同性/异性淀积，各向同性/异性刻蚀，湿法刻蚀，键合，光刻以及CMOS工艺中的氧化/注入等；5.采用体素图形学技术，更加逼真的演示三维复杂器件结构；6.采用体绘技术，通过旋转、平移、缩放、剖面等功能用户可以查看器件内部

信息；

7.利用几何算法更加逼真模拟淀积和刻蚀过程；模块4：FabSim三维工艺物理仿真模块1.精准的三维工艺物理模拟工具；2.模拟工艺流程生成的器件的三维模型,动画形式显示工艺过程；3.支持绝大多数MEMS工艺仿真，包括：各向同性/异性淀积，各向同性/异性刻蚀，湿法刻蚀，键合，光刻以及CMOS工艺中的氧化/注入等；4.高精度模式和快速模式两种仿真模式可选；5.SiDRIE和湿法各向异性刻蚀算法源自成熟的单工艺仿真算法模块，历经丰

富的实践验证；

6.支持III-V族半导体（InP）等多种化合物半导体物理仿真工艺；7.支持spray准各向同性湿法刻蚀工艺；8.基于GPU大规模并行计算；9.采用体素绘制技术，支持旋转、平移、缩放、剖面等功能；10.支持按工艺分层显示，方便观察器件内部结构信息；11.支持PPT、AVI、JPG等多种格式输出。模块5：IntelliEtch高级刻蚀模块1.基于原子模型的精确湿法刻蚀工艺模拟；

WagonWheelAnalyzer硅刻蚀速率提取工具；EtchRateVisualizer/CCAcalibrator硅刻蚀速率可视化及校准工具；WagonWheelAnalyzerII石英刻蚀速率提取工具；

2.集成DRIE和多次掩膜复合工艺功能；3.基于八叉树和并行计算的元胞自动机及动力学蒙特卡罗模型；4.完备的刻蚀工艺数据库，面向用户的开放的接口；5.可定义和切割任意高指数晶面；6.精确描述腐蚀表面形貌；7.兼容IntelliMask版图文件和Bmp掩膜文件；8.输出FEM网格数据；9.基于GPU大规模并行计算的IntelliEtchG；10.11.12.模块6：AnisE湿法刻蚀模块1.先进的、基于自动控制的单元蚀刻仿真技术能够得到精确[100]、[110]；单晶硅晶片KOH和TMAH各向异性蚀刻仿真结果，还可用于复杂版图及长时间蚀

刻；

2.晶片的顶部、底部和双面蚀刻；3.多重截止层和单一晶片上不同掩模的多次蚀刻；4.体现未对齐掩模的影响,及补偿技术；5.预测蚀刻剂温度、浓度及蚀刻时间对器件外形的影响；6.TMAH和KOH蚀刻速率数据库，用户也可自定义蚀刻速率；7.测定耦合各向异性蚀刻情况下垂直蚀刻的影响；8.三维图形和横截面可视；9.测量蚀刻后晶片任意两点间的距离和角度；模块7：MEMaterial材料数据库1.当前最全面的薄膜材料数据库和工艺优化工具，提供工艺参数和器件特性间

的重要联系；

2.包含多达70余种、基于真实工艺过程得到的MEMS常用薄膜材料属性，使

模拟结果更加精确；

3.允许用户添加和自定义材料；4.通过IntelliFab模块直接将材料属性输出到TEM分析模块；5.优化工艺；模块8：RECIPE干法刻蚀模块1.模拟RIE/ICP（BoschProcess）工艺，清晰反映加工工艺如何影响产品成型；2.可调节侧边的圆齿、粗糙度及周期；3.RIE和DRIE的lag效应；4.模拟最终实体形貌、侧面角度；5.考虑掩膜影响；6.为特定截面创建工艺参数可调整的结构；7.支持Footing效应模拟；8.支持工艺参数计算；9.DRIE刻蚀速率及深宽比校准工具；模块9：3DBuilder三维建模模块1.互动式编辑器件三维模型的强大工具；

自动校正不连通的网格（网格数量较少的情况下）；

建立斜面网格。

Squeeze

电容矩阵计算；

完整有限元模型能通过一种降阶方法得到一个简化模型，该模型能用于系

2.直角坐标和极坐标格点辅助创建器件的最优化模型；3.对齐网格或对齐点（包括中点、交点和分割点等）；4.输入版图（GDS，DXF或VEC格式）优化模型；5.对指定部分进行网格细分，如蛛网式、拉链式和发散式等；6.兼容ANSYS、ABAQUS、PATRAN、I-DEAS格式；7.能求解大规模矩阵；8.方便地修改结构厚度和间隙；9.自动验证网格质量与正确性；10.由二维版图直接生成模型并划分成六面体网格；11.12.模块10：热-电-机械耦合分析模块1.可进行静态、动态、瞬态和频域等不同类型下热、静电、机械、热-机-电耦合、流-固耦合分析；2.有限元、边界元求解器；3.兼容ANSYS,PATRAN,IDEAS；4.使用IntelliFab模块生成有限元模型或者用3DBuilder生成元件三维模型；5.定义应力梯度，在回旋装置中加入科里奥利力；6.计入热导率、电阻率、热膨胀系数、密度与温度的关系；7.接触分析、压电、压阻和封装分析；8.精确的机电耦合动态分析，实现基于真实三维器件结构的动态机电耦合模拟；9.压电瞬态、动态模拟包含瞬态电压差分输入、瞬态电荷密度输入及Film的影响；10.本征频率分析；1112.统级分析。此降阶方法基于Arnoldi降阶方法，拉格朗日力学和模式叠加得到；13.宏模型特性提取，自动生成N自由度的系统模型.完整记录非线性动态行为,

包括谐波和子谐波响应；

模块11：ParameterAnalysis参数化分析模块1.可定制的参数化分析工具，从版图生成、三维模型网格建立、边界和负载设

置，直至分析和后处理，生成分析报告；

2.无人值守的参数化分析；3.尺寸参数化；4.负载参数化；5.标准单元版图库；6.可自定制单元和版图；7.一键式三维网格建立；8.自动边界和负载添加；9.最终的结果报告，可提取任一指定参数下的结果；10.可生成不同参数情况下结果的比较图表；模块12：Microfluidic微流体、生物模块1.分析微流体，BioMEMS领域微观现象的模块；

微通道流动；

电驱动流（电渗、电泳）；

介电泳（双向电泳）；

电场中离子驱动流；

电润湿（电力场液滴表面张力驱动模拟）、自由表面流动；

定义滑动边界条件，可模拟塞状流；

电场作用下酸、碱以及弱电解质的混合、分离流动；

对流换热效应；

使用分块贴体坐标精确描述复杂几何模型，解决移动边界问题；

三维全波电磁场分析模块；

MEMS精确全波分析；

真实形变结构分析；

采用国际流行的有限元分析求解器；

精确的边界条件设置；

自动空气填充；

功能强大的自适应四面体划分；

丰富的电磁材料库；

多种矩阵方程求解器可供选择，包括CG和GMRES；

支持多核并行计算；

S参数的提取；

阻抗矩阵的提取；

电场、磁场的三维显示；

Smith圆图；支持其他相关工业格式（比如ACIS文本格式）；数据格式与IntelliSuite其他模块兼容；

2.3.4.5.6.7.8.9.10.模块13：ElectromagneticAnalysis电磁分析模块1.2.3.4.5.6.7.8.9.10.11.12.13.14.15.16.模块14：SYNPLE系统分析模块1.应用于多领域、多尺度的MEMS和纳米技术系统级设计工具，是有效进行器件、电路综合设计的划时代产品。与IntelliSuite其它模块结合，可以解决工业

界的许多技术难题；

2.良好的可拓展性框架，能够十分便捷地增加新单元；3.灵活的单元定义方式，无需学习新的语言；4.无需花费大量时间计算Jacobian行列式，计算速度明显优于传统数值方法；5.预先设有包含模拟、数字、数模混合、机械以及MEMS元件的单元库。并且

还在不断地更新中；

6.创新的SME（系统模型提取）能够系统地分析MEMS器件动力学特性，提取器件特征参数，能够将一个大型的FEA模型转化成一个精确的N自由度能量模型，导入到SYNPLE模块中进行模拟，最终获得与全FEA分析一致的结果，而计算速度提高1000倍；7.特别针对MEMS陀螺仪、加速度计等惯性器件开发的mEFM（多重表面网格划分）算法可高效、精确地分析复杂梳齿结构特性参数，大大提高运算效率八、

供应商：江苏英特神斯科技有限公司

地址：南京市江北新区丽新路19号

九、征求意见期限从2022年6月1日至2022年6月4日止。十、潜在供应商对公示内容有异议的，请于公示期满后1个工作日内将书面意见（包括：供应商名称、联系人、联系电话、能够提供本政府采购项目的说明）反馈至清华大学（联系人：王琦62771946，邮箱：sbcwq@tsinghua.edu.cn）。