根据《中华人民共和国政府采购法》等有关规定，现对真空气相薄膜沉积系统进行其他招标，欢迎合格的供应商前来投标。
 
项目名称：真空气相薄膜沉积系统
项目编号：DUTASD-2023135
项目联系方式：
项目联系人：孙老师
项目联系电话：0411-84706297
 
采购单位联系方式：
采购单位：大连理工大学
采购单位地址：辽宁省大连市高新园区凌工路2号
采购单位联系方式：孙老师 0411-84706297
 
 
一、采购项目内容
大连理工大学先进光电材料与器件实验室拟针对新型半导体材料开展薄膜制备方面的研究。本项目拟采购真空气相薄膜沉积系统1套，其中需包含腔体系统、真空抽离系统、加热冷却系统、顶升移载系统、电气系统等。
 
二、开标时间：2023年10月13日 14:00
 
三、其它补充事宜
大连理工大学先进光电材料与器件实验室拟开展新型半导体材料薄膜制备方面的研究，其中重点研究方向是钙钛矿太阳能电池中钙钛矿层等关键层的薄膜制备。基于该项目研究内容，需采购一套真空气相薄膜沉积系统设备。
与常规的使用真空蒸镀法直接制备集成电路金属薄膜、OLED有机发光二极管显示器等薄膜的过程不同，钙钛矿薄膜制备过程中在材料沉积的基础上，还涉及化学反应的过程。而相较于常规相互独立的沉积设备和反应设备，沉积和反应一体化集成的设备可更加连续的在稳定氛围中完成薄膜制备，这将大大提升薄膜制备质量，进而可达到更高的光电转化效率。故本次欲采购的真空气相薄膜沉积系统要求可以实现“沉积+反应”双功能一体化集成，即在沉积功能基础上，在系统中需直接集成“反应”功能腔体（雾化腔），反应气发生方式需为超声雾化，雾化腔反应气由雾化气和氮气组成，且可实现流量可调、溶剂可定量、气路可保温。
经调研，国内及国际大部分真空沉积设备厂商的相关产品，在可满足以钙钛矿为代表的新型半导体材料薄膜制备的基本沉积条件基础上，基本都不具备一体化集成反应功能。在此情况下，制备过程中的反应设备均需使用方自行外接，这将导致薄膜的制备质量下降。而仅有昆山晟成光电科技有限公司的真空沉积设备可以通过集成独立雾化系统与设备对接，实现“沉积+反应”一体化集成，同时可实现雾化腔基板温度室温~300℃可控，雾化腔体室温~100℃可控，压力5E-1~1atm可控，溶剂3.9μL~76ml可定量雾化，氮气流量可控，溶剂浓度可自由控制等功能。因此，只有昆山晟成光电科技有限公司的真空气相薄膜沉积产品能够满足本项目“沉积+反应”双功能一体化集成的技术要求，故只能采用单一来源采购方式采购。
 
四、预算金额：
预算金额：318.000000 万元（人民币）