[BA202301881]碳化硅外延片备案公示公告(更正)
发布时间：2024-04-09 14:40:02
采购信息

项目编号	BA202301881	项目名称	碳化硅外延片
经办人单位	物理学院	经办人	陆景彬
预算金额	289000.00 人民币	成交金额	289000.00 人民币
成交供应商	惠州市未光电子有限公司	质保期	6 月
联系地址	广东省-惠州市-惠州大亚湾霞涌河西五巷12号504房	采购单位	吉林大学物理学院
付款方式	成交单签订后预付成交单总金额的30%，货到验收合格办理相关手续后付余款。(适用于加工定制类)
供应商联系手机	17770002896	交货时间	成交单签订后30天内交货
交货地址	吉林省-长春市-前进大街吉林大学中心校区物理楼130室
交货方式	乙方免费将产品送达甲方用户单位指定地点。
包装及运费	由乙方免费提供及承担
验收方式	以成交单为准，参考相关内容进行验收。验收程序以甲方职能部门规定为准。
售后服务要求	本合同质保期为0.5年，自货物交付之日开始计算。 售后服务要供应商协助提供所列文字材料（1）：研究报告1份；（2）：协助申请发明专利5项（包括说明书、说明书摘要、说明书附图、权力要求书、摘要附图）；（3）：封装方案1份。

明细清单

采购品目	其他信息化学品	品牌名称	碳化硅芯片
名称	碳化硅外延片	产地及生产商	中国-惠州市未光电子有限公司
规格型号	6inch	数量	8
计量单位	个	保修年限	1 年
单价	36125.00 人民币	总价	289000.00 人民币
主要技术参数	NO. 表征 单位 规格 备注 1 晶型 - 4H2 表面 - 硅面 (0001)silicon-face3 主平边长度 mm 47.5±1.54 衬底电阻率 Ohm·cm 0.015~0.0255 偏角方向<11-20> - 4±0.5°6 主参考面晶向 - <11-20>±0.5°7 衬底微管密度 cm-2 ≤0.216 缺陷 可用面积 (2x2 mm2 Die) - ≥95% 表面缺陷包括但不限于三角形、掉落物、彗星缺陷和胡萝卜缺陷 cm-2 ≤0.5 基平面位错BPD cm-2 ≤0.5 划痕 Scratch - 总长度≤0.5个直径 崩边或裂痕(不去边) edge chip or Cracks - zero17 表面 粗糙度(Ra,10x10 μm2) nm 0.518 背面 背抛 μm ≤10.019 背面 刮痕距边缘位置 mm ≤2.020 背面 异物(去边2mm) - zero21 平面度 总厚度变化TTV μm ≤10.0 局部厚度变化-最大值LTV-Max μm ≤3.0 局部厚度变化-平均值LTV-Avg μm ≤2.0 弯曲度BOW μm ±30.0 翘曲度WARP μm ≤40.0 平均厚度 μm (350±25)+1122 金属污染 Na,K,Ti,Cr,Mn,Fe,Co,Ni, Cu,Zn,Au,Ag,V,Hg,W atoms/cm-2 ≤5E+1023 碳化硅基β辐射伏特效应核电池设计及封装方案在理论上应满足下列指标标准： 指标1、封装后器件体积 < 20*10*5 mm； 指标2、电子束测试样机输出功率 > 100 μW。

信息咨询

吉林大学招标与备案(采购)管理中心	设       备       类：林老师:   0431-85167310 工       程       类：白老师:   0431-85167313 服务及其他货物：李老师:   0431-85167309