中标
电子科技大学-竞价结果详情(CB106142019000092)
金额
51.48万元
项目地址
四川省
发布时间
2019/05/13
公告摘要
公告正文
电子科技大学 - 竞价结果详情 （CB106142019000092）
发布时间： 2019-05-07 14:05
| 基本信息： | |
| 申购单主题： | SG2019003027001磁控溅射镀膜机 |
| 申购单类型： | 竞价类 |
| 设备类别： | 机电设备 |
| 使用币种： | 人民币 |
| 竞价开始时间： | 2019-05-07 14:05 |
| 竞价结束时间： | 2019-05-10 14:14 竞价已结束 |
| 申购备注： | |
| 申购设备详情： |
| 中标供应商 | 设备名称 | 数量 | 品牌 | 型号 | 售后服务 | 规格配置 | 中标单价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 四川艾特赛科技有限公司 | SG2019003027001磁控溅射镀膜机 | 1 | 创世威纳 | MSP-300BI | 按行业标准提供服务 | 1.设备用途：可用于开发外延膜以及纳米级的单层及多层功能膜和复合膜-可镀金属、合金、化合物、半导体、陶瓷膜、介质复合膜和其它化学反应膜等。 设备主要功能。 2.溅射功能：射频磁控溅射镀膜；直流磁控溅射镀膜，氧化物、氮化物等反应溅射。 3. ★基于PLC及工控机的全自动控制功能。 4. ★溅射方式：设备同时支持：倾斜靶方式磁控共溅射镀膜，垂直靶方式磁控溅射镀膜。 垂直溅射方式下的高效率实验模式：一炉中可以自动完成多达6次样品间相互无污染的独立工艺实验，所有样品均可以在线加热，共溅射及垂直溅射采用同一套工件盘系统。样品下置，磁控靶上置，自上而下溅射。带有四个磁控靶。 5.设备主要技术指标 5.1 ★极限真空度：≤6.7×10-7Pa；（从大气抽气24小时内达到） 5.2 ★系统漏率：1*10-8Pa.l/s； 5.3 静态升压：系统停泵关机后12小时后，真空度≤5Pa 5.4 系统充干燥N2解除真空，短时暴露大气后抽气至9*10-4Pa≤30min。 5.5 ★磁控靶配置：带角度调节Φ60mm磁控靶4只。角度调节精度：1° 5.6 ★工位数与样品数量：6+1工位，7片。其中： ? 倾斜靶共溅射方式镀膜，中心共溅射单工位Φ4英寸样品1片。 ? 垂直靶方式镀膜，环带垂直溅射6工位Φ2英寸样品6片。 5.7 ★溅射不均匀性 尺寸为4英寸的样品可均镀膜，不均匀度 为≤±4％（以镀膜金属薄膜（Cu、Al2O3）进行验收，镀金属膜厚度约200nm） 5.8 ★样品高温加热 ? 中心共溅射工位加热≥800℃；控温精度：1℃；温度均匀性：±1％ ? 环带垂直溅射工位加热≥600℃；控温精度：1℃；温度均匀性：±1％ ? 所有样品镀膜时可在线加热。 5.9 工艺气体：Ar、O2/N2 5.10 ★电源功率 ? 射频600W，自动匹配 ? 直流：1000W 5.11 包含自动压力控制系统。 5.12 ★控制方式：基于PLC及工控机的全自动、半自动控制方式。 5.13 包含安全报警系统。 6.设备主要配置 6.1 真空腔体、样品架系统、机柜机架、辅助设施，1套（创世威纳） 6.2 复合分子泵1台，抽速不小于600L/s 6.3 直连旋片式真空泵1台，抽速8L/s 6.4 ★超高真空电动调节插板阀1台，Φ150mm 6.5 真空测量系统1套 6.6 自动压力控制系统1套，含进口真空计。 6.7 磁控靶4只，Φ60mm 6.8 加热器及温控系统1套 6.9 ★射频电源及自动匹配器：600W*1套（进口产品）。 6.10 直流电源：1000W，1套 6.11 质量流量控制器：2台，Ar、O2 6.12 工艺气路：3条（创世威纳配套），Ar、O2/N2 6.13 ★自动控制系统1套。PLC及模块（德国西门子）、工控机（研华工控原装）、显示器、控制软件。 6.14 ★具有北京创世威纳科技有限公司对于此项目的授权书及售后服务承诺书。 | 514800.0 |
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