清华大学PECVD(Si3N4/SiON/SiO2)采购项目单一来源公示

一、采购人：清华大学

二、地址：北京市海淀区清华园

三、联系方式：王琦sbcwq@tsinghua.edu.cn

四、项目名称:PECVD(Si3N4/SiON/SiO2)采购项目

项目编号：清设招第2022257号

五、采购内容：PECVD(Si3N4/SiON/SiO2)

六、采用单一来源采购方式原因及说明

此次拟购买的PECVD是一台化学气相沉积设备，主要用于硅通孔（TSV）侧

壁绝缘层的沉积，是实现TSV工艺的关键设备。经市场调研，在“深宽比大于等于10的硅通孔（TSV）工艺中，侧壁覆盖率大于等于60%”的技术指标方面，只有拓荆科技股份有限公司配有TSVSiO2沉积腔的PF-200T型PECVD设备能够满足

工艺需求，因此申请采用单一来源方式实施采购。。

七、仪器主要技术指标：

PECVD用于Si3N4、SiON和SiO2等介质薄膜的沉积，按项目工艺要求设备应配置TSVSiO2沉积腔、TEOSSiO2沉积腔和常规介质膜沉积腔。TSVSiO2沉积腔专用于深宽比大于等于10的TSV工艺，侧壁覆盖率大于等于60%；TEOSSiO2沉积腔用于带金属基片SiO2低温成膜工艺；常规介质膜沉积腔用于常规介质膜SiO2、SiON和Si3N4沉积。

八、供应商：拓荆科技股份有限公司

地址：辽宁省沈阳市浑南区水家900号

九、征求意见期限从2022年9月5日至2022年9月12日止。

十、潜在供应商对公示内容有异议的，请于公示期满后1个工作日内将书面意见

(包括：供应商名称、联系人、联系电话、能够提供本政府采购项目的说明)反馈至清华大学(联系人：王琦62771946，邮箱：sbcwq@tsinghua.edu.cn)。