公告摘要
项目编号gy202405979
预算金额49.5万元
招标联系人-
标书截止时间-
投标截止时间-
公告正文





项目名称 真空金属溅射镀膜系统 项目编号 GY202405979
公告开始日期 2024-11-27 07:52:22 公告截止日期 2024-12-02 08:00:00
采购单位 新一代半导体材料研究院 付款方式 签订合同后支付70%,货到验收合格后支付30%
联系人 成交后在我参与的项目中查看 联系电话 成交后在我参与的项目中查看
签约时间要求 到货时间要求 签订合同4个月
预算总价 ¥ 495000.00 + NaN + NaN
发票要求 增值税普通发票 增值税专用发票
含税要求
送货要求
安装要求
收货地址 山东大学半导体大楼102
供应商资质要求
符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件
公告说明



采购清单1
采购商品 采购数量 计量单位 所属分类
真空薄膜溅射镀膜系统 1 电子工业生产设备 无 无

品牌 品牌1 创世威纳
型号 DISC-SP-3200
品牌2
型号
品牌3
型号
品牌4
型号
品牌5
型号
品牌6
型号
预算单价 ¥ 495000.00
技术参数及配置要求 1. 设备采用 Load-Lock 室(进样室) +镀膜室的双腔室结构,两腔室间由一矩形超高真空密封锁隔开, 送取样品由进口伺服电机 驱动的高精度机械手实现。
2. 配置 3 个靶位,2个直流靶(其中一个为强磁靶)、1个射频靶。溅射距离及靶角度均可手动调节,可根据样片均匀区要求选择磁控靶大小。每只靶配有独立的靶挡板, 用于预溅射并防止靶材交叉污染
3. 配备 Ar、 O2、 N2三路工艺气体。
4. 工件盘为φ 6 英寸, 由旋转电机驱动进行自转,转速可调,工件盘可以加热,温度最高600°C。
5. 设备配备偏压电源,用于偏压辅助沉积,增强膜层质量
6. 设备采用基于 PLC、上位机及软件的控制方式,包含完备的安全报警系统,系统具有完备的系统在线数据采集功能,完善的系统日志。
7. 设备通用指标及参数
(1) Load-Lock 室尺寸: L280mm× W300mm× H230mm
(2) 镀膜室尺寸:Φ450mm× H420mm
(3) 整机尺寸: L2600mm× W1600mm× H1900mm
(4) 整机重量: 950Kg
(5) 溅射方向:靶在上,样品在下
(6) 磁控靶大小及数量:φ 3 英寸磁控靶 3 只
(7) 工件盘大小及数量: φ 6 英寸 1 个
(8) 电源配置:
a) 1000W 直流电源 1 台
b) 600W 射频电源 1 台
c) -300V 偏压电源 1 台
(9) 机械手:机械手精度:≤0.1mm,机械手悬垂:≤0.5mm
(10) 抽口大小:φ 150mm
8. 极限真空度:
(1) Load-Lock 室: ≤6.7× 10-1Pa
(2) 镀膜室:≤6.7× 10-5Pa
(3) 系统漏率: ≤5× 10-7Pa· L/s
(4) 静态升压:系统停泵关机 12 小时后,真空度≤5Pa
(5) 抽气速率(通过 load-lock 送样后开始抽气) :
(6) 至 9× 10-4Pa≤10min
(7) 至 6.7× 10-4Pa≤15min
9. 设备参数及工艺指标
(1) 靶材3英寸、溅射区域6英寸的厚度不均匀性≤±5%
(2) 溅射距离调节范围: 8-12cm
(3) 靶角度调节精度: 1°
10. 温度指标
(1) 样片表面最高温度: 600℃
(2) 控温精度: 1℃
(3) 温度不均匀性: ≤±1%
11. 硬件配置
真空溅射室系统、Load-Lock 室系统、样品及工件盘系统、真空获得系统(分子泵、干泵、挡板阀、超高真空电动调节阀)、真空测量系统(全量程复合真空计、电阻规、冷规等)、恒压控制系统、电源系统(强磁直流电源、普通直流电源、射频电源、偏压电源等)、磁控靶系统(溅射靶、挡板、角度调节器各3套)、加热系统、气路系统、冷却水路、电气系统、自动控制系统等
参考链接
售后服务 服务网点:当地;质保期限:1年;响应期限:报修后2小时;



2024-11-27 07:52:22
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