数据更新时间  2024/10/03 06:38:59

深圳市摩得半导体有限公司

摩得
融资轮次战略投资
成立时间2017/03/10
注册资本511.509万人民币
法人代表许舜渊
参保人数-
公司官网www.modesemi.com.cn
企业性质其他
所属园区-
注册地址深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻深圳市前海商务秘书有限公司)
办公地址-
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业务简介
摩得半导体的核心技术为硅基氮化镓(GaN on Si)设计架构,芯片设计采用的先进多平台设计架构,具有超低导通电阻,即使在高压环境下,仍能保持极高的工作效率,节能性与安全性能都有极大的提高。自主研发的三款面对不同领域的氮化镓电源芯片产品,更是打破了国外第三代半导体在高击穿功率器件领域的关键技术垄断局面。
主营业务
业务名称业务画像
业务简介
摩得半导体
摩得半导体的核心技术为硅基氮化镓(GaN on Si)设计架构,芯片设计采用的先进多平台设计架构,具有超低导通电阻,即使在高压环境下,仍能保持极高的工作效率,节能性与安全性能都有极大的提高。自主研发的三款面对不同领域的氮化镓电源芯片产品,更是打破了国外第三代半导体在高击穿功率器件领域的关键技术垄断局面。
股东信息3
股东名称出资比例认缴出资金额认缴时间
2.25%11.509万元人民币-
92.75%474.4246万元人民币-
5%25.5754万元人民币-
组织成员
企业对外投资2
被投资企业/项目名称被投资法人/项目负责人投资金额
又称认缴金额
投资占比
又称投资比例
被投资企业
融资轮次
经营状态披露时间信息来源
许舜渊
500万元人民币
100.0
-
存续
--
许舜渊
战略投资
存续
--
企业业务1
业务名称业务画像
业务简介
摩得半导体
摩得半导体的核心技术为硅基氮化镓(GaN on Si)设计架构,芯片设计采用的先进多平台设计架构,具有超低导通电阻,即使在高压环境下,仍能保持极高的工作效率,节能性与安全性能都有极大的提高。自主研发的三款面对不同领域的氮化镓电源芯片产品,更是打破了国外第三代半导体在高击穿功率器件领域的关键技术垄断局面。
工商信息
收起
企业名称深圳市摩得半导体有限公司
公司官网www.modesemi.com.cn
曾用名-
法人代表许舜渊
成立时间2017/03/10
注册资本511.509万人民币
公司估值-
企业类型有限责任公司(港澳台投资、非独资)
注册号440300280006703
机构代码MA5EDP1R-5
信用代码91440300MA5EDP1R5E
经营状态
存续
注册地址深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻深圳市前海商务秘书有限公司)
登记机关深圳市市场监督管理局南山监管局
经营范围
集成电路设计;电子专用材料研发;专业设计服务;半导体器件专用设备销售;集成电路芯片设计及服务;技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广;集成电路芯片及产品销售;电子专用材料销售;电子元器件零售;电子元器件批发;采购代理服务;商务代理代办服务;国内贸易代理;信息系统集成服务。(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动)货物进出口;技术进出口;进出口代理。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动,具体经营项目以相关部门批准文件或许可证件为准)
组织成员
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电话5
邮箱5
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