91440300MA5DQ4K243

吊销

9144

融资轮次-

成立时间2016/12/02

注册资本10000万人民币

法人代表方华刚

参保人数-

公司官网-

企业性质民营企业

所属园区-

注册地址深圳市福田区沙头街道天安社区深南大道6009号NEO绿景广场B座17C4

办公地址-

行业归属先进制造、材料类、新材料、半导体器件

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业务分析

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业务简介

深圳佑荟半导体有限公司成立于2016年12月，注册资本1亿人民币，公司通过对第三代半导体材料，如：氮化镓（Gallium Nitride, GaN）、氮化铝（Aluminum Nitride,AlN）和AlGaN（Aluminum GalliumNitride, AlN）等宽禁带半导体材料的深入研究，致力于深紫外产品（UVC LED）的研究、开发，重点打造UVC LED的生态产业链。

主营业务

业务名称	业务画像	业务简介

佑佑荟半导体	先进信息材料先进制造其他半导体材料制造业半导体半导体制造半导体支撑产业半导体材料新型半导体材料新材料	深圳佑荟半导体有限公司成立于2016年12月，注册资本1亿人民币，公司通过对第三代半导体材料，如：氮化镓（Gallium Nitride, GaN）、氮化铝（Aluminum Nitride,AlN）和AlGaN（Aluminum GalliumNitride, AlN）等宽禁带半导体材料的深入研究，致力于深紫外产品（UVC LED）的研究、开发，重点打造UVC LED的生态产业链。
佑佑荟	先进信息材料先进制造其他半导体材料制造业半导体半导体制造半导体支撑产业半导体材料新型半导体材料新材料	半导体材料研发商
佑荟半佑荟半导体	先进信息材料先进制造其他半导体材料制造业半导体半导体制造半导体支撑产业半导体材料新型半导体材料新材料	深圳佑荟半导体有限公司成立于2016年12月，注册资本1亿人民币，公司通过对第三代半导体材料，如：氮化镓（Gallium Nitride, GaN）、氮化铝（Aluminum Nitride,AlN）和AlGaN（Aluminum GalliumNitride, AlN）等宽禁带半导体材料的深入研究，致力于深紫外产品（UVC LED）的研究、开发，重点打造UVC LED的生态产业链。

合作伙伴

IT供应商

深圳滨塔科技有限公司

深

股东信息（1）

股东名称	出资比例	认缴出资金额	认缴时间

9144914403003194579693	100%	10000万元人民币	-

组织成员

企业对外投资（3）

被投资企业/项目名称	被投资法人/项目负责人	投资金额又称认缴金额	投资占比又称投资比例	被投资企业融资轮次	经营状态	披露时间	信息来源

914491440300MA5DQ4K243	方华刚			-	吊销	-	-
佑荟腾冲佑荟半导体有限公司	谢剑	490万元人民币	49.0	-	存续	-	-
佑荟东莞佑荟半导体有限公司	方华刚	5000万元人民币	100.0	-	吊销	-	-

企业业务（3）

业务名称	业务画像	业务简介

佑佑荟半导体	先进信息材料先进制造其他半导体材料制造业半导体半导体制造半导体支撑产业半导体材料新型半导体材料新材料	深圳佑荟半导体有限公司成立于2016年12月，注册资本1亿人民币，公司通过对第三代半导体材料，如：氮化镓（Gallium Nitride, GaN）、氮化铝（Aluminum Nitride,AlN）和AlGaN（Aluminum GalliumNitride, AlN）等宽禁带半导体材料的深入研究，致力于深紫外产品（UVC LED）的研究、开发，重点打造UVC LED的生态产业链。
佑佑荟	先进信息材料先进制造其他半导体材料制造业半导体半导体制造半导体支撑产业半导体材料新型半导体材料新材料	半导体材料研发商
佑荟半佑荟半导体	先进信息材料先进制造其他半导体材料制造业半导体半导体制造半导体支撑产业半导体材料新型半导体材料新材料	深圳佑荟半导体有限公司成立于2016年12月，注册资本1亿人民币，公司通过对第三代半导体材料，如：氮化镓（Gallium Nitride, GaN）、氮化铝（Aluminum Nitride,AlN）和AlGaN（Aluminum GalliumNitride, AlN）等宽禁带半导体材料的深入研究，致力于深紫外产品（UVC LED）的研究、开发，重点打造UVC LED的生态产业链。