招标
超高真空氮化物分子束外延生长系统采购意向公告
金额
300万元
项目地址
-
发布时间
2024/07/08
公告摘要
项目编号-
预算金额300万元
招标公司-
招标联系人-
标书截止时间-
投标截止时间-
公告正文
为便于供应商了解采购信息，根据《物资服务集中采购需求管理暂行办法》等有关规定，现将超高真空氮化物分子束外延生长系统的采购意向公开如下：
| 序号 | 采购项目名称 | 需求概况 | 初步技术参数 | 预算金额(万元) | 预计采购时间 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 超高真空氮化物分子束外延生长系统 |
采购内容：超高真空氮化物分子束外延生长系统
采购数量：1套
主要功能或目标：针对氮化铝薄膜的高质量外延生长，必须经过专门设计和配备射频等离子体源等特殊部件，具有必要性和紧迫性。
需满足的要求：计划采购超高真空氮化物分子束外延生长系统1套。该系统专门针对氮化铝薄膜的高质量外延生长，必须经过专门设计和配备射频等离子体源等特殊部件，具有必要性和紧迫性。该系统供货范围不限于上述系统的设备设计、安装 、调试 、培训及售后等。
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系统主要包括以下部分： 1. 生长腔 （1）系统最大可外延单片3英寸衬底，兼容单片2英寸、1英寸或更小衬底。 （2）腔内安装液氮冷屏。 （3）配套冷凝泵和离子泵，均配备闸板阀，经充分烘烤冷却后，基础真空低于5×10-10 Torr，极限真空优于2×10-10 Torr。 （4）安装电离真空规和增强皮拉尼真空计。 （5）安装束流规，可自动定位于测试位置和收回位置。 （6）安装RGA及电子放大器模块。 （7）配置蒸发源观察视窗和传样观察视窗，均配备挡板。 （8）配置传样闸板阀，用来隔绝生长腔和预处理腔。 （9）安装1个热唇蒸发源、1个冷唇蒸发源和1个高通量射频等离子源，每个源均配备蒸发源挡板。 （10）热唇蒸发源、冷唇蒸发源：坩埚容量≥ 110 cc，双温区独立加热，最高加热温度≥ 1350 ℃，温度稳定性≤ ±0.2 ℃。 （11）高通量射频等离子源：满足N2的等离子激发，射频功率≥ 500 W，气体流量0.1~10 sccm。 （12）安装RHEED，电子能量≥ 15 keV，具有X、Y、Rocking和Beam blanking功能，配备远程控制模块，配套荧光屏和荧光屏挡板，配套CCD相机和图像分析软件。 （13）安装衬底加热器，可加热最大单片3英寸衬底。最高加热温度可达1100 ℃。配备热偶及PID控温，温度稳定性≤ ±0.2 ℃。衬底可连续旋转，最大转速≥ 60 RPM。配套直流电源。配备衬底挡板。 2. 预处理腔 （1）连接生长腔和进样腔，配置水平传样杆，实现衬底托盘传递。 （2）配备视窗及挡板，可以查看衬底传至衬底加热台。 （3）安装电离真空规和增强皮拉尼真空计。 （4）配套离子泵，极限真空优于5×10-10 Torr。 （5）配置衬底加热台，可加热最大3英寸衬底，加热温度不低于600 ℃。 （6）可存放不少于2个3英寸衬底托盘。 3. 进样腔 （1）配置闸板阀，用来隔离进样腔和预处理腔。 （2）安装电离真空规和增强皮拉尼真空计。 （3）配置分子泵和前级泵，分子泵配置闸板阀，极限真空优于5×10-8 Torr。 （4）配置红外烘烤灯，最高加热温度不低于150℃。 （5）可一次性放入4个3英寸衬底托盘。 （6）可自动vent和抽气。 4. 设备及生长控制系统 （1）图形化软件控制系统，含配套PC及硬件，包括生长工艺程序编写、自动生长控制、不间断数据记录等功 | 300.00 | 2024年09月 | 无 |
注：1.本次意向公开的采购意向仅作为供应商了解初步采购安排的参考，采购项目具体情况以最终发布的采购公告和采购文件为准；
2.供应商可以通过采购平台反馈参与意向和意见建议。
联系人：王广
联系方式：15973174110
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